[發(fā)明專利]一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210076494.2 | 申請日: | 2012-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN102593373A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高昕偉;何其林;李園利 | 申請(專利權(quán))人: | 四川虹視顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所 51124 | 代理人: | 李順德 |
| 地址: | 610041 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 oled 復(fù)合 透明 陰極 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu),包括:透明陰極層及輔助透明陰極層,輔助透明陰極層位于透明陰極層上方;其特征在于,所述透明陰極層采用Mg-Ag合金材料制成,所述輔助透明陰極層采用Ag材料制成。
2.如權(quán)利要求1所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透明陰極層的膜厚范圍為1~30nm;輔助透明陰極層的膜厚范圍為1~50nm,但透明陰極層和輔助透明陰極層的總厚度不超過51nm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透明陰極層的膜厚為10nm,所述輔助透明陰極層的膜厚為10nm。
4.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu),其特征在于,所述Mg-Ag合金材料中,Mg的質(zhì)量百分比范圍為30%~0.1%,Ag的質(zhì)量百分比范圍為70%~99.9%。
5.一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a.在真空條件下,利用熱蒸鍍或者電子束蒸鍍技術(shù),蒸鍍一定厚度的Mg-Ag合金材料作為透明陰極層;
b.在真空條件下,在透明陰極層的上方,利用熱蒸鍍或者電子束蒸鍍技術(shù),蒸鍍一定厚度的Ag材料作為輔助透明陰極層。
6.如權(quán)利要求5所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,步驟a中,蒸鍍10nm的Mg-Ag合金材料作為透明陰極層。
7.如權(quán)利要求5所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,步驟b中,蒸鍍10nm的Ag材料作為輔助透明陰極層。
8.如權(quán)利要求5-7任意一項所述的一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述Mg-Ag合金材料中,Mg的質(zhì)量百分比范圍為30%~0.1%,Ag的質(zhì)量百分比范圍為70%~99.9%。
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H01L51-54 .. 材料選擇





