[發明專利]高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 201210076189.3
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102603296A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 張平;王濤;李玲霞;夏往所
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C04B35/495
• 分類號: C04B35/495;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/63
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 曹玉平

1.一種高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷，其原料組分及摩爾百分比含量為，Nd₂O₃50％，Nb₂O₅50％，外加重量百分比含量1-7％的CaF₂。

2.權利要求1的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，具有如下步驟：

(1)將Nd₂O₃、Nb₂O₅原料按照摩爾比1∶1的比例進行配料，按照重量百分比，用料∶去離子水∶磨球＝1∶7∶7的比例加入聚酯罐中，在球磨機上球磨4～6小時；

(2)將步驟(1)球磨后的原料置于干燥箱中于80～130℃烘干，烘干后過40目篩，獲得顆粒均勻的粉料；

(3)將步驟(2)混合均勻的粉料在900～1100℃煅燒4小時；

(4)在步驟(3)煅燒后的陶瓷粉料中加入重量百分比為1-7％的CaF₂，然后放入聚酯罐中，加入去離子水和鋯球后，在球磨機上球磨12～24小時；在烘干后在陶瓷粉料中外加重量百分比為6～10％的石蠟作為粘合劑進行造粒，過80目篩，再用粉末壓片機壓力成型，再將生坯于1200～1325℃燒結，保溫2～6小時，制得微波介質陶瓷。

(5)測試微波介質陶瓷的微波介電性能。

3.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)的Nd₂O₃、Nb₂O₅原料的純度大于99.9％。

4.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)和步驟(4)的球磨機為行星式球磨機。

5.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)的壓片機的工作壓強為4MPa，生坯規格為Φ10mm×5mm的圓柱體。

6.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)是通過網絡分析儀測試微波介質陶瓷的微波介電性能。

7.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)優選的預燒溫度為900℃。

8.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述所述步驟(4)優選的CaF₂加入量為2％。

9.根據權利要求2的高品質因數鈮酸釹系微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述所述步驟(4)優選的燒結溫度為1225℃，保溫4小時。