[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210075741.7
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102969426B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張浴月,鄭小軍

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年9月01日在韓國提交的申請號為10-2011-0088636的韓國申請的優先權，其主要內容通過引用的方式全部并入此處，就如將其全文描述于此一樣。

技術領域

本發明的實施例可以涉及一種發光器件、發光器件封裝、照明器件以及顯示器件。

背景技術

基于有機化學氣相沉積的發展以及氮化鎵(GaN)的分子束生長，能夠呈現高發光性和白光的紅色、綠色以及藍色發光二極管(LED)已經取得進展。

這種發光二極管(LED)可以具有良好的環保(因為不具有諸如汞(Hg)等對環境有害的物質)、使用壽命長以及功耗低等優點。結果是，發光二極管(LED)已經取代了現有光源。這種LED的核心競爭力可以是通過高效率和高輸出的芯片和封裝技術使高發光性的實現成為可能。

為了實現高發光性，重要的是提高光提取效率。為了提高光提取效率，已經研究和開發有使用倒裝芯片、表面毛化、圖案化藍寶石襯底(PSS)、光子晶體技術以及抗反射層結構等各種方式。

發明內容

因此，實施例可以提供一種能夠防止可能由于高驅動電壓引起的損壞的發光器件。

在一個實施例中，一種發光器件包括：發光結構，被分成多個發光單元和一邊界區，多個發光單元分別包括第一導電類型半導體層、有源層以及第二導電類型半導體層；第一電極，被設置在每一個發光單元上；第二電極，被設置在每一個發光單元下方；多個第一導電層，被設置在多個發光單元下方；至少一個第二導電層，被設置在第一導電層下方；第一絕緣層，被設置在各導電層之間以及在多個第一導電層與至少一個第二導電層之間；以及連接電極，被配置成將一個發光單元上的第一電極與第二發光單元下方的至少一個第二導電層連接。通過第二導電層與連接電極之間的連接，發光單元可以彼此串聯連接。

對應于除發光單元的一個之外的其它發光單元的至少一個第二導電層可以彼此間隔預定距離。

第一導電層可以包括：反射層，被設置在第二導電類型半導體層下方；以及第一阻擋層(barrier?layer)，被設置在反射層下方。

發光器件還可以包括：第二阻擋層，被設置在至少一個第二導電層下方并與多個第一導電層其中之一電連接；以及第二絕緣層，位于各第二導電層之間且位于第二阻擋層與至少一個第二導電層之間。

連接電極可以將相鄰的兩個發光單元其中之一的第一電極與對應于相鄰的兩個發光單元的另一個的第二導電層連接。

發光器件還可以包括：鈍化層，被設置在每一個發光單元與連接電極之間；以及保護層，被設置在邊界區上。

連接電極可以穿過保護層和第一絕緣層而被設置在鈍化層上。

至少每一個第二導電層的預定區域可以穿過第一絕緣層而與對應的第一導電層接觸。

第二導電層的預定區域可以沿垂直方向與相鄰的邊界區的相鄰區域重疊。對應于其它發光單元之一設置的第二導電層的至少預定區域沿垂直方向與相鄰于所述其它發光單元之一的另一個發光單元重疊。

這些導電層的每一個可以包括：基板，形成為板狀且與連接電極連接；以及穿通部，從基板突出且穿過第一絕緣層而與對應的第一導電層連接。例如，穿通部可以連接至對應的第一導電層的阻擋層。

穿通部可以由與用于基板的材料相同的材料形成，并且可以與基板整體形成。穿通部可以與基板的側表面接觸。穿通部的一側具有的長度可以與基板的一側具有的長度相同。可以在基板的上表面和下表面至少之一中形成粗糙部(roughness)。第二導電層可以由反光材料形成。發光器件還可以包括被設置在第二阻擋層下方的支撐層。

根據本實施例，可以分散集中的電場，因此可以防止發光器件損壞。

附圖說明

可以參照下列附圖來詳細描述排列和實施例，所述附圖中相似的附圖標記表示相似的元件，其中：

圖1為示出根據第一實施例的發光器件的平面圖；

圖2為示出圖1所示的發光器件的沿AB方向的剖視圖；

圖3為示出圖1所示的發光器件的沿AB方向和CD方向剖出的透視圖；

圖4示出圖2所示的第二導電層的第一實施例；

圖5示出圖2所示的第二導電層的第二實施例；

圖6示出圖2所示的第二導電層的第三實施例；

圖7示出圖2所示的第二導電層的第四實施例；

圖8示出圖2所示的第二導電層的第五實施例；

圖9示出包括根據實施例的發光器件的發光器件封裝；