[發(fā)明專利]發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210075741.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102969426B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁煥熙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/38 | 分類號(hào): | H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 張?jiān)≡?鄭小軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件,包括:
發(fā)光結(jié)構(gòu),被分成多個(gè)發(fā)光單元和一邊界區(qū),所述多個(gè)發(fā)光單元分別包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層;
第一電極,被設(shè)置在每一個(gè)所述發(fā)光單元上;
多個(gè)第一導(dǎo)電層,被設(shè)置在所述多個(gè)發(fā)光單元下方;
至少一個(gè)第二導(dǎo)電層,被設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層下方;
第一絕緣層,被設(shè)置在各所述第一導(dǎo)電層之間,以及被設(shè)置在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層與所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層之間;以及
連接電極,將一個(gè)發(fā)光單元上的所述第一電極與另一個(gè)發(fā)光單元下方的所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層連接,
其中所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層穿過所述第一絕緣層而與所述多個(gè)第一導(dǎo)電層之一連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)于除所述發(fā)光單元的一個(gè)之外的其它發(fā)光單元而設(shè)置,并且彼此間隔預(yù)定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,
其中所述第一導(dǎo)電層包括:
反射層,被設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層下方;以及
第一阻擋層,被設(shè)置在所述反射層下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件,還包括:
第二阻擋層,被設(shè)置在所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層下方,該第二阻擋層與所述多個(gè)第一導(dǎo)電層其中之一電連接;以及
第二絕緣層,被設(shè)置在各所述第二導(dǎo)電層之間,并被設(shè)置在所述第二阻擋層與所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的發(fā)光器件,其中所述連接電極將相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元的第一電極與對(duì)應(yīng)于所述相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元的另一個(gè)的第二導(dǎo)電層連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件,還包括:
鈍化層,被設(shè)置在每一個(gè)所述發(fā)光單元與所述連接電極之間;以及
保護(hù)層,被設(shè)置在所述邊界區(qū)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件,其中所述連接電極穿過所述保護(hù)層和所述第一絕緣層而被設(shè)置在所述鈍化層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的發(fā)光器件,其中分別對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光單元來設(shè)置所述多個(gè)第一導(dǎo)電層,以及
所述多個(gè)第一導(dǎo)電層其中之一與對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述發(fā)光單元電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的發(fā)光器件,其中所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電層的預(yù)定區(qū)域沿垂直方向與相鄰的所述邊界區(qū)的相鄰區(qū)域重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件,其中對(duì)應(yīng)于所述其它發(fā)光單元之一而設(shè)置的所述第二導(dǎo)電層的至少預(yù)定區(qū)域沿垂直方向與相鄰于該其它發(fā)光單元之一的另一個(gè)發(fā)光單元重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的發(fā)光器件,其中每一個(gè)所述第二導(dǎo)電層包括:
基板,形成為板狀,該基板與所述連接電極連接;以及
穿通部,從所述基板突出,該穿通部穿過所述第一絕緣層而與對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件,其中所述穿通部的一側(cè)具有的長度與所述基板的一側(cè)具有的長度相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件,其中所述基板包括至少一個(gè)穿通凹孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件,其中在所述基板的上表面和下表面至少之一中形成粗糙部。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的發(fā)光器件,其中所述第二導(dǎo)電層由反光材料形成。
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