[發明專利]有機發光顯示裝置

有效

• 申請號: 201210073038.2
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102694004A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 萊恩·卡普蘭;瓦勒瑞·普魯申斯基;鄭世呼;玄元植;鄭炳成;馬壯錫
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年3月21日向韓國知識產權局提交的第10-2011-0024993號韓國專利申請的權益，其全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

本文公開內容涉及有機發光顯示裝置，更具體地，涉及可以將外部光線反射導致的對比度的下降最小化的有機發光顯示裝置。

背景技術

有機發光顯示裝置作為自發光顯示裝置在寬視角和快速響應時間上具有優勢。然而，有機發光顯示裝置的缺點是，如果有機發光顯示裝置在外部光線環境下顯示圖像，則外部光線被構成有機發光顯示裝置中的電極和接線的金屬材料反射，從而降低對比度。

一般來說，為了使對比度的下降最小化，會使用價格偏高的偏振板。然而，使用這種偏振板會使成本增加，并會由于從發光層發射出的光被阻擋而降低透射率，并降低亮度。

為了使對比度的下降最小化，可以在電極或接線上形成黑矩陣。然而，使用這種黑矩陣的方法會需要額外的掩模過程來形成黑矩陣，這使得制作過程變得復雜。

發明內容

本發明的一個方面提供了一種有機發光顯示裝置，其可通過改變電極單元和接線單元表面的光學性質來改善對比度。

根據本發明的一個方面，提供了一種有機發光顯示裝置，包括：彼此面對的第一襯底和第二襯底；有機發光裝置，設置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述有機發光裝置包括在每個像素中單獨形成的像素電極、面對所述像素電極的公共電極以及設置在所述像素電極與所述公共電極之間的有機發光層；以及電極單元和至少一個接線單元，設置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述電極單元包括至少一個薄膜晶體管以及至少一個電容器，所述至少一個薄膜晶體管被配置為將發光信號傳輸至所述像素電極，其中，在所述電極單元和所述接線單元中的至少一個的表面上形成光學性質修改層，所述光學性質修改層具有從所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的光學性質修改的光學性質。

所述光學性質修改層的反射率可低于所述電極單元和所述至少一個接線單元中的每個的反射率。

所述光學性質修改層的光吸收率可高于所述電極單元和所述至少一個接線單元中的每個的光吸收率。

所述光學性質修改層可通過選自由透射率、折射率、衍射率以及顏色構成的組中的至少一種光學性質區別于所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個。

所述光學性質修改層可以是通過向所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的表面施加飛秒級激光束脈沖至少一次而形成的。

所述光學性質修改層由飛秒級激光束脈沖修改的區域可具有納米級或微米級尺寸。

所述至少一個薄膜晶體管包括柵電極、源電級和漏電極，所述至少一個電容器包括電極。

所述至少一個接線單元可包括柵接線單元、數據接線單元和功率接線單元。

從所述有機發光層發出的光可朝向所述第二襯底發射，其中，所述光學性質修改層形成在所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的、面對所述第二襯底的表面上，其中，所述有機發光顯示裝置包括第二光學性質修改層，所述第二光學性質修改層具有從所述像素電極的光學性質修改的光學性質并且形成在所述像素電極靠近所述有機發光層的表面上。

所述第二光學性質修改層的反射率可低于所述像素電極的反射率。

所述第二光學性質修改層的光吸收率可高于所述像素電極的光吸收率。

從所述有機發光層發出的光可朝向所述第一襯底發射，其中，所述光學性質修改層形成在所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的、面對所述第一襯底的表面上，其中，所述有機發光顯示裝置包括第二光學性質修改層，所述第二光學性質修改層具有從所述像素電極的光學性質修改的光學性質并且形成在所述公共電極靠近所述有機發光層的表面上。

所述第二光學性質修改層的反射率可低于所述公共電極的反射率。

所述第二光學性質修改層的光吸收率可高于所述公共電極的光吸收率。

所述第二光學性質修改層可僅形成在與所述像素電極相對應的區域上。

所述第一襯底和所述第二襯底中的至少一個可以是透明襯底，其中，所述有機發光顯示裝置還包括至少一個透明干涉層，所述至少一個透明干涉層設置在所述透明襯底的、外部光線入射的表面上。

所述透明干涉層的厚度可約等于外部光線的波長的1/4。

所述透明干涉層的折射率可低于所述透明襯底的折射率。

所述透明干涉層可包括氟化鎂、二氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其組合。