[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210073038.2
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102694004A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 萊恩·卡普蘭;瓦勒瑞·普魯申斯基;鄭世呼;玄元植;鄭炳成;馬壯錫
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：

彼此面對的第一襯底和第二襯底；

有機發(fā)光裝置，設置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述有機發(fā)光裝置包括在每個像素中單獨形成的像素電極、面對所述像素電極的公共電極以及設置在所述像素電極與所述公共電極之間的有機發(fā)光層；以及

電極單元和至少一個接線單元，設置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述電極單元包括至少一個薄膜晶體管以及至少一個電容器，所述至少一個薄膜晶體管被配置為將發(fā)光信號傳輸至所述像素電極，

其中，在所述電極單元和所述接線單元中的至少一個的表面上形成光學性質修改層，所述光學性質修改層具有從所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的光學性質修改的光學性質。

2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學性質修改層的反射率低于所述電極單元和所述至少一個接線單元中的每個的反射率。

3.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學性質修改層的光吸收率高于所述電極單元和所述至少一個接線單元中的每個的光吸收率。

4.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學性質修改層通過選自由透射率、折射率、衍射率以及顏色構成的組中的至少一種光學性質區(qū)別于所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個。

5.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學性質修改層是通過向所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的表面施加飛秒級激光束脈沖至少一次而形成。

6.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學性質修改層由飛秒級激光束脈沖修改的區(qū)域具有納米級或微米級尺寸。

7.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少一個薄膜晶體管包括柵電極、源電級和漏電極，所述至少一個電容器包括電極。

8.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少一個接線單元包括柵接線單元、數(shù)據(jù)接線單元和功率接線單元。

9.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光朝向所述第二襯底發(fā)射，

其中，所述光學性質修改層形成在所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的、面對所述第二襯底的表面上，

其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學性質修改層，所述第二光學性質修改層具有從所述像素電極的光學性質修改的光學性質并且形成在所述像素電極靠近所述有機發(fā)光層的表面上。

10.如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學性質修改層的反射率低于所述像素電極的反射率。

11.如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學性質修改層的光吸收率高于所述像素電極的光吸收率。

12.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光朝向所述第一襯底發(fā)射，

其中，所述光學性質修改層形成在所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的、面對所述第一襯底的表面上，

其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學性質修改層，所述第二光學性質修改層具有從所述像素電極的光學性質修改的光學性質并且形成在所述公共電極靠近所述有機發(fā)光層的表面上。

13.如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學性質修改層的反射率低于所述公共電極的反射率。

14.如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學性質修改層的光吸收率高于所述公共電極的光吸收率。

15.如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學性質修改層僅形成在與所述像素電極相對應的區(qū)域上。

16.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一襯底和所述第二襯底中的至少一個是透明襯底，

其中，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括至少一個透明干涉層，所述至少一個透明干涉層設置在所述透明襯底的、外部光線入射的表面上。

17.如權利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明干涉層的厚度等于外部光線的波長的1/4。