[發明專利]降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法

無效

• 申請號: 201210072543.5
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102592975A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 蘆冬云;吳昊;盛磊;薛維平
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體來說，本發明涉及一種降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法。

背景技術

因為高頻器件的廣泛應用，當前市場需求低電容和穩定擊穿的TVS器件。為了達到這樣的目的，許多工藝手段被引入到半導體制造中。但是許多工藝復雜程度高、效果差且成本大。

例如，在制造P/N結的工藝過程中，前層次工藝殘留的氧化層因為工藝原因，摻雜或吸雜導致P/N結電容和漏電增加，對P/N結的品質造成了直接影響。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法，能夠克服現有技術中存在的缺點。

為解決上述技術問題，本發明提供一種降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法，包括步驟：

提供位于半導體晶圓上的N型半導體襯底，在所述N型半導體襯底上形成N型外延層；

在所述N型外延層上生長第一氧化層，后在其上開出窗口；

在所述晶圓表面涂敷P型乳膠摻雜源；

將所述晶圓置于爐管中作熱處理，將所述P型乳膠摻雜源中的P型雜質通過所述窗口作預擴散進入其下的所述N型外延層中；

漂去所述晶圓表面殘留的所述P型乳膠摻雜源以及在上述預擴散過程中附帶形成的含雜質的第二氧化層，露出所述窗口；

將所述晶圓置于爐管中進行帶氧推進，將所述P型雜質在所述N型外延層中作再擴散，所述窗口又被新形成的第三氧化層覆蓋；

采用濕法刻蝕法將所述N型外延層以上的部分全部拋掉，露出所述N型外延層；

在低溫下采用低壓化學氣相淀積法在所述N型外延層的表面淀積第四氧化層；

在所述第四氧化層上開出接觸孔，其內淀積金屬。

可選地，所述P型乳膠摻雜源為液態硼源。

可選地，將所述晶圓置于爐管中作預擴散和再擴散的溫度范圍可以分別為800℃～1000℃和1000℃～1200℃。

可選地，所述濕法刻蝕的溶液為HF溶液或者BOE溶液。

可選地，在所述N型外延層的表面淀積第四氧化層的溫度范圍為400℃～700℃。

可選地，所述接觸孔內淀積的金屬包括鋁。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明通過濕法全拋N型外延層表面的各氧化層，再重新低溫生長新氧化層，可以有效降低P/N結電容和減少漏電。

本發明通過極小的成本和相對簡單的工藝改進，明顯改善了P/N結的性能。

附圖說明

本發明的上述的以及其他的特征、性質和優勢將通過下面結合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中：

圖1為本發明一個實施例的降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法流程圖；

圖2至圖7為本發明一個實施例的降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的P/N結制造過程剖面圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例和附圖對本發明作進一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細節以便于充分理解本發明，但是本發明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下根據實際應用情況作類似推廣、演繹，因此不應以此具體實施例的內容限制本發明的保護范圍。

圖1為本發明一個實施例的降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法流程圖。如圖1所示，該方法可以包括：

執行步驟S101，提供位于半導體晶圓上的N型半導體襯底，在N型半導體襯底上形成N型外延層；

執行步驟S102，在N型外延層上生長第一氧化層，后在其上開出窗口；

執行步驟S103，在晶圓表面涂敷P型乳膠摻雜源；

執行步驟S104，將晶圓置于爐管中作熱處理，將P型乳膠摻雜源中的P型雜質通過窗口作預擴散進入其下的N型外延層中；

執行步驟S105，漂去晶圓表面殘留的P型乳膠摻雜源以及在上述預擴散過程中附帶形成的含雜質的第二氧化層，露出窗口；

執行步驟S106，將晶圓置于爐管中進行帶氧推進，將P型雜質在N型外延層中作再擴散，窗口又被新形成的第三氧化層覆蓋；

執行步驟S107，采用濕法刻蝕法將N型外延層以上的部分全拋，露出N型外延層；

執行步驟S108，在低溫下采用低壓化學氣相淀積法在N型外延層的表面淀積第四氧化層；

執行步驟S109，在第四氧化層上開出接觸孔，其內淀積金屬。