[發明專利]降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法無效
| 申請號： | 201210072543.5 | 申請日： | 2012-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN102592975A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 蘆冬云;吳昊;盛磊;薛維平 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳亮 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 型涂敷源 工藝 電容 漏電 方法 | ||
1.一種降低P型涂敷源工藝的P/N結電容和漏電的方法，包括步驟：
提供位于半導體晶圓上的N型半導體襯底(201)，在所述N型半導體襯底(201)上形成N型外延層(202)；
在所述N型外延層(202)上生長第一氧化層(203)，后在其上開出窗口(204)；
在所述晶圓表面涂敷P型乳膠摻雜源(205)；
將所述晶圓置于爐管中作熱處理，將所述P型乳膠摻雜源(205)中的P型雜質通過所述窗口(204)作預擴散進入其下的所述N型外延層(202)中；
漂去所述晶圓表面殘留的所述P型乳膠摻雜源(205)以及在上述預擴散過程中附帶形成的含雜質的第二氧化層(207)，露出所述窗口(204)；
將所述晶圓置于爐管中進行帶氧推進，將所述P型雜質在所述N型外延層(202)中作再擴散，所述窗口(204)又被新形成的第三氧化層(209)覆蓋；
采用濕法刻蝕法將所述N型外延層(202)以上的部分全拋，露出所述N型外延層(202)；
在低溫下采用低壓化學氣相淀積法在所述N型外延層(202)的表面淀積第四氧化層(211)；
在所述第四氧化層(211)上開出接觸孔(213)，其內淀積金屬。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型乳膠摻雜源(205)為液態硼源。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述晶圓置于爐管中作預擴散和再擴散的溫度分別為800℃～1000℃和1000℃～1200℃。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溶液為HF溶液或者BOE溶液。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述N型外延層(202)的表面淀積第四氧化層(211)的溫度為400℃～700℃。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸孔(213)內淀積的金屬包括鋁。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海先進半導體制造股份有限公司，未經上海先進半導體制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210072543.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種核電池和鋰電池相結合的微小型電池
- 下一篇：一種變壓器調壓線圈端部結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
