[發明專利]真空干燥裝置

在審

• 申請號: 201210072031.9
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103307856A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李寧
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: F26B7/00
• 分類號: F26B7/00;F26B5/04;F26B25/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

技術領域

本發明涉及一種用于干燥半導體產品的裝置，尤其涉及一種用于在半導體產品經過清洗液清洗后的干燥工序的真空干燥裝置。

背景技術

隨著亞微型尺寸的高密度電路的發展，將半導體產品表面上的不必要的污染物去掉顯得非常必要，這些半導體產品例如是高密度芯片、晶片或用于磁盤驅動器上的磁頭，等等。

其中，隨著磁頭的加工精度的發展，磁頭的空氣承載面(ABS)上的圖案變得越來越復雜。因此，形成該ABS的蝕刻工藝十分繁復，其采用大量的膠水、冷卻劑等。當通過磁頭分割工藝生產出單一磁頭后，膠水、冷卻劑和磨劑的殘余物會殘余在磁頭的ABS上。因此，在磁頭分割后的清洗工藝必不可少。傳統地，通過將磁頭浸漬在清洗液中通過超聲波振動進行清洗。通常，在磁頭清洗后會在磁頭的各表面上殘留清洗液。為防止清洗液對磁頭造成危害，緊接著清洗工藝的步驟是將磁頭進行干燥處理。

一般地，現有的干燥處理方法有以下幾種。其一，自然揮發晾干。然而，此種方法所需的揮發時間較長，效率低，而且清洗液在揮發后會在磁頭的表面上形成印跡，對產品造成不利影響。其二，加熱烘干。通常采用電熱絲對容置磁頭的容器進行加熱，從而使磁頭上的清洗液揮發。然而此種方法的溫度往往難以控制。其三，利用氣槍吹干。具體地，如圖1所示，磁頭101在清洗后，氣槍110對裝在清洗盒102中的批量磁頭101進行吹氣處理，從而使磁頭表面的清洗液快速揮發。此種方法較前兩種方法佳，但是仍然不夠理想。由于氣槍所吹出的空氣直接處理的面積有限，因此，磁頭101的各表面無法被均勻地吹干，而且并不能使每個磁頭101都能夠均勻地吹干，因此，未被均勻吹干的部分磁頭101的表面上仍然有清洗液蒸發后的印跡。

因此，亟待一種改進的干燥裝置以克服上述缺陷。

發明內容

本發明的目的在于提供一種具有抽氣裝置的真空干燥裝置，其干燥效果良好、干燥環境安全性高、干燥效率高，從而提高生產率。

為實現上述目的，本發明提供了一種真空干燥裝置，其包括：容置槽，用以容置待干燥物；加熱裝置，用以使所述容置槽的溫度升高至預定溫度；以及抽氣裝置，所述抽氣裝置與所述容置槽相連，以抽出所述容置槽中的部分或全部空氣，從而使所述待干燥物上的溶劑揮發。

作為一個優選實施例，所述加熱裝置包括若干加熱管以及與所述加熱管相連的熱水泵。

較佳地，所述加熱管設有進水口和出水口，以實現循環。

可選地，所述加熱裝置設置于所述容置槽之中或外圍

較佳地，所述待干燥物上的溶劑包括去離子水，和/或H₂SO₄，和/或H₂O₂，和/或酒精，和/或異丙醇。

較佳地，所述預定溫度為30℃～80℃。

較佳地，所述容置槽包括蓋體以及密封墊，所述蓋體上設有氣體通道，所述抽氣裝置通過所述氣體通道與所述容置槽相連通。

較佳地，所述容置槽內的壓強范圍為0～25KPa。

較佳地，所述待干燥物包括半導體晶片、芯片、磁頭或玻璃面。

與現有技術相比，本發明的真空干燥裝置一方面對容置槽中磁頭進行適當的加熱；另一方面同時從容置槽中抽出部分或全部空氣，使其內達到局部真空或全真空狀態，進而使得磁頭各表面上的清洗液沸騰，從而快速揮發，蒸汽隨抽氣裝置排出容置槽之外，從達到瞬間干燥的目的。經過本發明真空干燥裝置處理的磁頭的表面保持清潔，不會留下清洗液的印跡，從而提高生產率。

通過以下的描述并結合附圖，本發明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發明的實施例。

附圖說明

圖1展示了一種磁頭的傳統的干燥裝置。

圖2展示了本發明的真空干燥裝置的結構框圖。

圖3為本發明的真空干燥裝置的一個實施例的局部立體圖。

圖4為本發明的真空干燥裝置的另一個實施例的局部立體圖。

圖5為本發明的真空干燥裝置的剖視圖。

具體實施方式

下面將參考附圖闡述本發明幾個不同的最佳實施例，其中不同圖中相同的標號代表相同的部件。如上所述，本發明的實質在于一種具有抽氣裝置的真空干燥裝置，其干燥效果良好、干燥環境安全性高、干燥效率高，從而提高生產率。

參考圖2-3，本發明的真空干燥裝置2包括容置槽21、分別與該容置槽21相連的加熱裝置22和抽氣裝置23。