[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210071400.2
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103022098A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大田剛志;三須伸一郎;新井雅俊
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：

襯底；

第1導(dǎo)通部，在與上述襯底的主面正交的第1方向上延伸；

第2導(dǎo)通部，在上述第1方向上延伸，沿著與上述第1方向正交的第2方向而與上述第1導(dǎo)通部分離設(shè)置；

半導(dǎo)體部，設(shè)置在上述第1導(dǎo)通部和上述第2導(dǎo)通部之間，包括基于第1雜質(zhì)濃度的第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；

第1電極部，在上述第1導(dǎo)通部和上述第2導(dǎo)通部之間于上述第1方向延伸；

第2電極部，在上述第1電極部和上述第2導(dǎo)通部之間于上述第1方向延伸，與上述第1電極部分離設(shè)置；

第1絕緣部，設(shè)置在上述第1電極部和上述半導(dǎo)體部之間，在上述第1電極部的邊界面的法線方向上具有第1厚度；及

第2絕緣部，設(shè)置在上述第2電極部和上述半導(dǎo)體部之間，在上述第2電極部的邊界面的法線方向上具有比上述第1厚度還厚的第2厚度。

2.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1電極部沿著上述第2方向從上述第1導(dǎo)電部的中途到上述半導(dǎo)體部的中途設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第2厚度從上述第1導(dǎo)通部向上述第2導(dǎo)通部逐漸增大。

4.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第2厚度從上述第1導(dǎo)通部向上述第2導(dǎo)通部反復(fù)增減。

5.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第2電極部包括在上述第2方向上分別分離配置的多個電極區(qū)域。

6.如權(quán)利要求5記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1絕緣部和上述第2絕緣部在上述第2方向上分離設(shè)置，

上述第2絕緣部在上述多個電極區(qū)域的每個電極區(qū)域分離設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1厚度之中，沿著上述第1方向的厚度比沿著上述第2方向的厚度還厚。

8.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

還具備第3絕緣部，該第3絕緣部設(shè)置在上述第1電極部和上述第1導(dǎo)通部之間，在上述第1電極部的邊界面和上述第1導(dǎo)通部的邊界面對置的方向上具有比上述第1厚度還厚的第3厚度。

9.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述半導(dǎo)體部包括設(shè)置在上述第1導(dǎo)通部和上述第1半導(dǎo)體區(qū)域之間的第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，

上述第1電極部及上述第1絕緣部沿著上述第2方向而貫穿上述第2半導(dǎo)體區(qū)域。

10.如權(quán)利要求9記載的半導(dǎo)體器件，其中，

沿著上述第1方向的上述第2電極部的長度，比沿著上述第1方向的上述第1電極部的長度還長。

11.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1電極部與上述第1導(dǎo)通部導(dǎo)通，

上述第1導(dǎo)通部與上述半導(dǎo)體部被肖特基接合。

12.如權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述半導(dǎo)體部在上述半導(dǎo)體部的上述第1導(dǎo)通部側(cè)，具有為上述第1導(dǎo)電型、且雜質(zhì)濃度低于上述第1雜質(zhì)濃度的第1濃度區(qū)域。

13.如權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述半導(dǎo)體部在上述半導(dǎo)體部的上述第1導(dǎo)通部側(cè)，具有為上述第1導(dǎo)電型、且雜質(zhì)濃度高于上述第1雜質(zhì)濃度的第2濃度區(qū)域。

14.如權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述半導(dǎo)體部在上述襯底和上述第1導(dǎo)通部之間，在上述第1導(dǎo)通部側(cè)包括第2導(dǎo)電型的第3濃度區(qū)域。

15.如權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述半導(dǎo)體部在上述襯底和上述第1導(dǎo)通部之間，在上述第1導(dǎo)通部側(cè)包括為上述第1導(dǎo)電型、且雜質(zhì)濃度低于上述第1雜質(zhì)濃度的第4濃度區(qū)域。

16.如權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1電極部與上述第1導(dǎo)通部和上述半導(dǎo)體部之間的邊界面分離設(shè)置。

17.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體器件，其中，

上述第1絕緣部和上述第2絕緣部在上述第2方向上分離設(shè)置。