[發明專利]用于為垂直磁記錄磁極提供側屏蔽體的方法和系統

無效

• 申請號: 201210071352.7
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN102682784A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: X·曾;D·萬;H·袁;L·王;M·王;H·孫
• 申請（專利權）人: 西部數據（弗里蒙特）公司
• 主分類號: G11B5/187
• 分類號: G11B5/187;G11B5/667
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

技術領域

背景技術

圖1是示出用于制作常規的垂直磁記錄(PMR)換能器的常規方法10的流程圖。為了簡單起見，省略一些步驟。常規方法10用于在氧化鋁層中提供PMR磁極。經由步驟12在氧化鋁層中形成溝槽。溝槽的頂部比溝槽底部寬。因此，在其中形成的PMR磁極的頂表面將比其底部寬。因此，PMR磁極的側壁將具有反向角。溝槽的底部也可以是傾斜的，從而提供前緣斜面。經由步驟14沉積釕(Ru)間隙層。Ru間隙層用于形成側間隙。步驟14通常包括使用化學氣相沉積(CVD)沉積Ru間隙層。經由步驟16鍍常規PMR磁極材料。步驟16可以包括鍍鐵磁磁極材料以及晶種層和/或(多個)其他層。然后可以經由步驟18執行化學機械拋光(CMP)，從而去除過量的(多種)磁極材料。然后經由步驟20可以形成頂部或者后緣斜面。經由步驟22沉積寫入間隙。經由步驟24使用常規的光刻法形成常規的光致抗蝕劑屏蔽掩模。然后經由步驟26沉積環繞屏蔽體。

圖2和3分別示出使用常規方法10形成的常規PMR換能器50的一部分的側視圖和空氣軸承表面(ABS)視圖。圖2中示出形成期間的常規換能器50。常規換能器50包括中間層52。中間層52是在其上形成有磁極的層。還示出了表示磁極的前緣斜面的所使用的斜面53。還示出了光致抗蝕劑屏蔽掩模82。用于形成掩模82的圖案的光的方向由圖2中的直線箭頭示出。圖3示出在制作完成后的常規PMR換能器。還示出了Ru間隙層54，其沉積在溝槽(未示出)中。還示出了常規磁極60、寫入間隙70和頂部屏蔽體80。因此，使用常規方法10可以形成磁極60。

盡管常規方法10可以提供常規PMR換能器50，但是可能存在缺點。如圖2所示，光致抗蝕劑掩膜82可以顯示出凹口84。抗蝕凹口84接近光致抗蝕劑掩膜82的基底。因此，步驟26中鍍的屏蔽體可以具有不期望的輪廓。進一步地，凹口84可以是不可控的，尤其是在高容量工藝中。因此，可能不利地影響常規PMR換能器50的產量和/或性能。進一步地，如圖3中能夠看出，可以存在來自光致抗蝕劑掩膜82的抗蝕殘留82’和82”。(例如頂部比底部寬的)常規磁極60和關聯結構的反向角可以導致不能從接近常規磁極60的底部的陰影區域除去部分抗蝕掩模82。因此，典型的有機抗蝕殘留82’和82”可以存在于最后的器件中。這種抗蝕殘留82’和82”占據期望成為環繞屏蔽體80的一部分的區域。因此，性能和/或產量可以再次降低。因此，所需要的是用于制作PMR換能器的改進的方法。

發明內容

本發明描述了用于制作具有非磁性的中間層的磁性換能器的方法。在中間層上提供有磁極。該磁極具有側面、底部、比底部更寬的頂部和緊鄰ABS位置的頂部斜面。側間隙被提供為至少鄰近磁極的側面。底部抗反射涂層(BARC)提供在中間層上。通過使用液體蝕刻劑可去除BARC層，并且該BARC層鄰近至少一部分側間隙。掩模層被提供在BARC層上。圖案經光刻傳遞到掩模層中，形成屏蔽掩模。BARC層的一部分暴露于液體蝕刻劑，以便磁極的多個側面和側間隙脫離BARC層。提供了至少一個側屏蔽體。該側屏蔽體是磁性的。

附圖說明

圖1是示出了用于制作PMR換能器的常規方法的流程圖。

圖2是示出了常規PMR換能器的側視圖的圖示。

圖3是示出了常規PMR換能器的ABS視圖的圖示。

圖4是示出了用于制作PMR換能器的方法的一個示例性實施例的流程圖。

圖5是示出了在制作期間PMR換能器的一個示例性實施例的側視圖的圖示。

圖6是示出了PMR換能器的一個示例性實施例的側視圖和ABS視圖的圖示。

圖7是示出了用于制作PMR換能器的方法的另一個示例性實施例的流程圖。

圖8-13是示出了在制作期間磁記錄換能器的一個示例性實施例的圖示。

具體實施方式