[發(fā)明專利]用于為垂直磁記錄磁極提供側(cè)屏蔽體的方法和系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210071352.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102682784A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: X·曾;D·萬(wàn);H·袁;L·王;M·王;H·孫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)（弗里蒙特）公司
• 主分類號(hào): G11B5/187
• 分類號(hào): G11B5/187;G11B5/667
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于制作具有中間層和空氣軸承表面ABS的磁性換能器的方法，所述方法包括：

在所述中間層上提供磁極，所述磁極具有多個(gè)側(cè)面、底部、比所述底部更寬的頂部以及緊鄰ABS位置的前斜面；

提供鄰近所述磁極的至少多個(gè)側(cè)面的側(cè)間隙；

在所述中間層上提供底部抗反射涂層BARC，所述底部抗反射涂層可通過(guò)使用液體蝕刻劑去除并且鄰近所述側(cè)間隙的至少一部分；

在所述底部抗反射涂層上提供掩膜層；

光刻地傳遞圖案到所述掩膜層中，形成屏蔽掩模；

將一部分所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑，以便所述磁極的多個(gè)側(cè)面和所述側(cè)間隙脫離所述底部抗反射涂層；

至少提供側(cè)屏蔽體，所述側(cè)屏蔽體是磁性的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在至少所述磁極和所述側(cè)間隙上沉積間隙層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述至少提供側(cè)屏蔽體的步驟包括：

提供磁性頂部屏蔽體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述底部抗反射涂層是可顯影的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述底部抗反射涂層包括ARCDS-K101。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述液體蝕刻劑是顯影劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述光刻地傳遞圖案的步驟進(jìn)一步包括：

將所述掩膜層的一部分暴露于光；和

使用所述顯影劑去除所述掩膜層的所述部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述將所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑的步驟作為所述光刻地傳遞圖案的步驟的一部分而執(zhí)行。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述底部抗反射涂層的厚度不大于一百納米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少提供側(cè)屏蔽體層的步驟進(jìn)一步包括：

鍍至少一個(gè)屏蔽體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磁極是垂直磁記錄寫(xiě)入磁極。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑的部分未被所述屏蔽掩膜覆蓋。

13.一種用于制作垂直磁記錄PMR換能器的方法，所述PMR換能器具有中間層和空氣軸承表面ABS，所述方法包括：

在所述中間層上提供PMR磁極，所述PMR磁極具有多個(gè)側(cè)面、底部、比所述底部更寬的頂部以及緊鄰ABS位置的前斜面；

提供鄰近所述磁極的至少多個(gè)側(cè)面的側(cè)間隙，所述側(cè)間隙是非磁性的；

在所述中間層上旋涂可顯影的底部抗反射涂層BARC，所述可顯影的底部抗反射涂層可通過(guò)使用顯影劑去除并且具有不大于一百納米的厚度；

在所述底部抗反射涂層上旋涂掩膜層；

將所述掩膜層的一部分暴露于光；

將所述換能器暴露于所述顯影劑，所述掩膜層的所述部分和一部分所述底部抗反射涂層由所述顯影劑去除，形成屏蔽掩模并且從所述PMR磁極的多個(gè)側(cè)面以及所述側(cè)間隙層去除所述底部抗反射涂層的任意部分；

提供磁性側(cè)屏蔽體；

在至少所述PMR磁極和所述側(cè)間隙上沉積非磁性間隙層；和

提供磁性頂部屏蔽體，所述非磁性間隙層置于所述PMR磁極和所述磁性頂部屏蔽體之間。