[發(fā)明專(zhuān)利]光模塊的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210070077.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102684064A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 依田薰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西鐵城控股株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01S5/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01S5/02;H01S5/022;G02B6/42 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 許海蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模塊 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光模塊的制造方法,特別涉及包含利用接合用凸出進(jìn)行接合的多個(gè)光學(xué)元件的光模塊的制造方法。
背景技術(shù)
已知有安裝半導(dǎo)體激光元件后,用接合用凸出將光電二極管接合在銅散熱器上,高精度地進(jìn)行半導(dǎo)體激光元件和光電二極管的光學(xué)定位的方法(例如,參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
在上述的方法中,當(dāng)用接合用凸出接合光電二極管的情況下,事先調(diào)查施加在接合用凸出上的加壓力,和依照加壓力而變形的接合用凸出的高度的關(guān)系,依照上述關(guān)系選擇適宜的加壓力。
[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]特開(kāi)平10-208269號(hào)公報(bào)(圖1)
但是,通過(guò)壓垮接合用凸出以亞微米級(jí)進(jìn)行光學(xué)元件的高度方向的定位的方法并不存在。
進(jìn)而,如果在接合用凸出上施加負(fù)荷使之變形后釋放負(fù)荷,則在變形后的接合用凸出上,因接合用凸出的彈性而從變形的位置要恢復(fù)到原來(lái)位置的力發(fā)生作用。因而,在對(duì)接合用凸出給予負(fù)荷的狀態(tài)下,即使進(jìn)行光學(xué)元件之間的定位,其后如果釋放負(fù)荷(如果去除所施加的負(fù)荷),則因?yàn)榻雍嫌猛钩鲆謴?fù)到變形前的狀態(tài)而再次變形,所以存在光學(xué)元件間的相對(duì)位置發(fā)生變化的問(wèn)題。
而且,把釋放負(fù)荷后接合用凸出要恢復(fù)到變形前的狀態(tài)而再次變形這一點(diǎn)稱(chēng)為“接合用凸出的彈性恢復(fù)”,把其變形量稱(chēng)為“彈性恢復(fù)量”。而且,“彈性恢復(fù)量”與所施加的負(fù)荷量、接合用凸出的材質(zhì)、接合用凸出的形狀等相應(yīng)地變化。
發(fā)明內(nèi)容
因而本發(fā)明的目的在于提供一種用于解決上述課題的光模塊的制造方法。
另外,本發(fā)明的目的在于提供一種不管接合用凸出的彈性恢復(fù)如何,都可以高精度地進(jìn)行光學(xué)元件之間的光學(xué)定位的光模塊的制造方法。
本發(fā)明的光學(xué)模塊的制造方法的特征在于具有如下步驟:在襯底上形成由金屬構(gòu)成的接合用凸出,通過(guò)施加使接合用凸出比第1光學(xué)元件和第2光學(xué)元件最高效率地進(jìn)行光耦合的位置進(jìn)一步變形那樣的規(guī)定量的負(fù)荷后釋放負(fù)荷,在上述接合用凸出上接合上述第2光學(xué)元件。
如果采用本發(fā)明,則因?yàn)榭紤]接合用凸出的彈性恢復(fù)量,在接合用凸出上接合第2光學(xué)元件,所以即使在釋放負(fù)荷的狀態(tài)下,也可以高精度地進(jìn)行第1光學(xué)元件和第2光學(xué)元件的光學(xué)定位。
附圖說(shuō)明
圖1是表示半導(dǎo)體激光模塊1的圖。
圖2是用于說(shuō)明半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的流程圖。
圖3是表示半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的圖(1)。
圖4是表示半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的圖(2)。
圖5是表示半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的圖(3)。
圖6是表示LD元件20和PPLN元件30的位置關(guān)系的圖。
圖7是表示檢測(cè)器102的輸出電壓和用調(diào)芯安裝器103施加的負(fù)荷的關(guān)系的曲線(xiàn)圖。
圖8是表示半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的另一例子的圖。
圖9是用于說(shuō)明其他的微凸出的圖。
圖10是用于說(shuō)明另一半導(dǎo)體激光模塊2的制造過(guò)程的圖。
圖11是表示另一半導(dǎo)體激光模塊2的制造過(guò)程的圖。
圖12是用于說(shuō)明襯底10和子襯底40的接合的圖。
圖13是表示PPLN元件30和光纖50的位置關(guān)系的圖。
圖14是表示半導(dǎo)體激光模塊1的制造過(guò)程的圖(4)。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
10:硅襯底;18、18′、19、19′、53:微凸出;20:LD元件;30:PPLN元件;40:子襯底;50:光纖;70:接合用樹(shù)脂;100:調(diào)芯安裝裝置;101:控制部;102:檢測(cè)部;103:調(diào)芯安裝器;104:驅(qū)動(dòng)部。
具體實(shí)施方式
以下參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的光模塊的制造方法。但是,本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于這些實(shí)施方式,請(qǐng)注意權(quán)利要求范圍中記載的發(fā)明和涉及其均等物這一點(diǎn)。
圖1(a)是表示作為光模塊的一例表示的半導(dǎo)體激光模塊1的側(cè)視圖,圖1(b)是半導(dǎo)體激光模塊1的Y軸方向的側(cè)面圖。
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