[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210068407.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103311400A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳隆欣;曾文良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管,尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管憑借其高光效、低能耗、無污染等優(yōu)點(diǎn),已被應(yīng)用于越來越多的場(chǎng)合之中,大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢(shì)。
發(fā)光二極管是通過采用電流激發(fā)其發(fā)光二極管芯片的方式進(jìn)行發(fā)光。根據(jù)所選用的材料,發(fā)光二極管芯片能夠輻射出各種相應(yīng)的可見光以及不可見光,范圍涵蓋紫外至紅外波段。通常,發(fā)光二極管通過在發(fā)光二極管芯片上覆蓋一層混合了熒光粉的熒光膠體配合使用來合成各種顏色光以進(jìn)行照明。有先前技術(shù)提到將含熒光粉的液態(tài)熒光體注入帶有反光杯的發(fā)光二極管芯片上,但由于熒光粉的沉降而導(dǎo)致熒光粉在液態(tài)熒光體中分布不均,發(fā)光二極管容易出現(xiàn)出光不均勻而產(chǎn)生偏色現(xiàn)象,影響產(chǎn)品良率。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種熒光粉分布均勻的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:準(zhǔn)備步驟,提供基板;反光杯成型步驟,在基板上形成反光杯,反光杯形成敞口的容置部;設(shè)置芯片步驟,設(shè)置發(fā)光二極管芯片于反光杯的容置部?jī)?nèi)并貼設(shè)于基板上;提供凝膠狀熒光層,凝膠狀熒光層內(nèi)均勻混合有熒光粉,將凝膠狀熒光層放置于反光杯上并覆蓋住容置部;填充步驟,提供模具將凝膠狀熒光層壓合到反光杯的容置部?jī)?nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片;及固化步驟,加熱固化熒光層。
所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法在填充步驟之前還包括檢測(cè)步驟,向所述發(fā)光二極管芯片供電使其發(fā)光,設(shè)置光學(xué)感應(yīng)器用以檢測(cè)發(fā)光二極管芯片的發(fā)出光線透過凝膠狀熒光層之后的出光均勻性,如果出光均勻性達(dá)不到預(yù)期值,更換凝膠狀熒光層。
本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法是通過壓合凝膠狀的熒光層來實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管芯片的封裝。由于凝膠狀熒光層內(nèi)均勻分布的熒光粉在壓合凝膠狀熒光層的過程中不會(huì)發(fā)生沉降,故在壓合之后仍可保持均勻分布,從而使發(fā)光二極管出光均勻,解決了因?yàn)闊晒夥鄯植疾痪鶆蛞鸬钠F(xiàn)象,有效提高了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率。
另外,還可在模具壓合凝膠狀熒光層之前對(duì)凝膠狀熒光層的出光均勻性進(jìn)行檢測(cè),能及時(shí)解決因凝膠狀熒光層所包含的熒光粉分布不均勻引起的偏色現(xiàn)象,進(jìn)一步提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率。
下面參照附圖,結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
圖2為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S101所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖3為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S102所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖4為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S103所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖5為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S104所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖6為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S105所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖7為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S106所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖8為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟S107所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖9為圖8所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過切割之后的單個(gè)發(fā)光二極管的剖面示意圖。
主要元件符號(hào)說明
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