[發明專利]浸沒式滲透下片

無效

• 申請號: 201210067835.X
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN103208442A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 孫雪英
• 申請（專利權）人: 江蘇漢萊科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種使芯片從陶瓷盤上脫離的方法，其特征在于采用浸沒、滲透的方式使芯片從陶瓷盤上脫離。

2.權利要求1所述的方法，其特征在于浸沒、滲透方式為把陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片，一并浸沒在溶液內，通過加熱溶液及溶液的滲透使芯片與陶瓷盤、蠟脫離。

3.權利要求2所述的方法，其特征在于陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片浸沒在溶液內，同時利用超聲儀進行超聲。

4.權利要求2或3所述的方法，其特征在于溶液的溫度從常溫開始加熱，溶液的最高溫度≤85℃。

5.權利要求4所述的方法，其特征在于60℃≤溶液的最高溫度≤85℃。

6.權利要求3所述的方法，其特征在于超聲儀的超聲頻率為35kHz-55kHz。

7.權利要求6所述的方法，其特征在于超聲儀的超聲頻率優選40kHz-45kHz。

8.權利要求2所述的方法，其特征在于所述的溶液選自：水、水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中的一種或多種。

9.權利要求8所述的方法，其特征在于所述的水為超純水，所述的水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中水溶液為超純水的水溶液。

10.權利要求1-9的方法進一步包括一種浸沒式滲透下片架，由兩部分組成，一部分是用于放置陶瓷盤及固定在其上面的芯片，稱之為陶瓷盤架，另一部分是用于放置從陶瓷盤上脫落下的芯片，稱之為芯片架，陶瓷盤架、芯片架共同組成浸沒式滲透下片架。