[發明專利]浸沒式滲透下片

無效

• 申請號: 201210067835.X
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN103208442A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 孫雪英
• 申請（專利權）人: 江蘇漢萊科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于LED芯片制備領域，涉及對研磨、拋光后的芯片從陶瓷盤上脫離的工藝。

背景技術

在芯片的制備過程中需要對芯片表面進行研磨和拋光，通常為了加工方便，先把芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，然后對芯片進行研磨，減薄到所需厚度后進行拋光，在此過程中，固定在陶瓷盤上的芯片與研磨輪、拋光盤相互有著緊密接觸式的摩擦，在摩擦的過程中研磨輪、拋光盤會對芯片產生一定的應力，通過加工，芯片越來越薄，應力也隨之越來越大，芯片翹曲、碎片的幾率會不斷增大，相對增大了后續芯片從陶瓷盤上取下來的難度。現有工藝主要有兩種，一種通過把拋光好的芯片，直接放在加熱板上快速加熱使陶瓷盤與芯片之間的蠟溶解，達到使芯片脫離陶瓷盤的目的，稱之為加熱脫片。由于芯片脫離陶瓷盤上的速度很快，芯片釋放應力也隨之加快，造成芯片的翹曲度非常大，芯片容易破碎。另一種人為推動芯片，稱之為外力脫片。這個過程會有大量的不可控因素，一定要掌握好時機，該方法是通過對陶瓷盤進行加熱，在加熱過程中芯片與石蠟之間形成一定數量的氣泡后，通過人為施力推動芯片，此過程石蠟融化時所形成的氣泡狀況，推片時機，及推片的力度都是需要我們人為判斷的，必須要在合理的狀態、合適的時間、適當的力度去推動芯片，過早了，推不動芯片，容易把芯片邊緣推碎。過慢了，芯片會很快自動脫離陶瓷盤，受芯片材質的影響，芯片自動脫離陶瓷盤時，芯片的翹曲度和破片率都會增大。

發明內容

本發明的目的是為了解決芯片脫離陶瓷盤過程中易翹曲、破碎問題。

為了解決上述問題，本發明的發明人通過無數次實驗測試，結果發現通過浸沒式滲透下片，即把陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片，一并浸沒在溶液內，通過加熱溶液，同時超聲波的震動及溶液的滲透使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離。由于芯片是通過溶液滲透及利用超聲波超聲使其脫離陶瓷盤的，釋放應力的時間不是很快，同時溶液對芯片的壓力也可控制芯片應力釋放的速度，整個過程中芯片所受的力均是一個衡定的過程，并且芯片受熱也是個緩慢遞增的過程，所以芯片的翹曲度和碎片也會減少，讓整體良率有所提升。?

浸沒式滲透下片過程中所用的溶液選自：水、水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中的一種或多種。

所述的水優選超純水。

所述的水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中水溶液為超純水的水溶液。

所述水溶液優選含有去蠟液的水溶液。

所述的堿性組分選自堿金屬氫氧化物，如氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀；堿土金屬氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋇；無機氫氧化銨，如氨、羥基胺；有機氫氧化銨，如單甲基氫氧化銨、二甲基氫氧化銨、三甲基氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、正（異）四丙基氫氧化銨、正（異或叔）四丁基氫氧化銨、四戊基氫氧化銨、四己基氫氧化銨或膽堿中一種，或上述中兩種或兩種以上的混合物。這些堿性組分中優選氨、四甲基氫氧化銨或膽堿。

所述的表面活性劑選自：非離子型表面活性劑、陰離子型表面活性劑、陽離子型表面活性劑、兩性表面活性劑中一種，或上述兩種或兩種以上的混合物。

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所述的加熱溶液，是從常溫下（25℃）開始加熱，溶液最高溫度≤85℃。優選60℃-85℃。

所述的超聲波，其頻率為35kHz-55kHz，優選40kHz-45kHz。

芯片在制備過程中，需要對芯片進行研磨及拋光，為加工方便，需要把芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，進行研磨、拋光，待研磨、拋光后再將芯片從陶瓷盤上取下來，再對取下來的芯片進行清洗。本發明主要是針對原研磨、拋光后的芯片從陶瓷盤上取下來這一工藝的改進，目的在于控制芯片從陶瓷盤上取下來這一過程中芯片翹曲度及其破碎率。

芯片經研磨、拋光后，與陶瓷盤一并浸沒在溶液內，對溶液進行加熱，同時用超聲儀利用超聲波及溶液的滲透使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離。由于芯片是通過利用超聲波超聲及溶液滲透使其脫離陶瓷盤的，所以相對芯片脫離陶瓷盤的應力不大且整個過程中都保持衡定，另外因溶液的溫度是從室溫開始緩緩加熱至最高溫度的，不會使芯片溫度劇變，減少了芯片的翹曲或破碎幾率。