[發明專利]鰭式場效應晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210067622.7
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN103311294A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 尚海平;徐秋霞
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種鰭式場效應晶體管，包括SOI襯底、SOI襯底上的鰭形的柵極堆疊結構、SOI襯底中柵極堆疊結構兩側的源漏區以及源漏區之間的溝道區，源漏區與溝道區沿第一方向延伸，柵極堆疊結構沿垂直于第一方向的第二方向延伸，源漏區沿第二方向的寬度要大于溝道區沿第二方向的寬度且小于柵極堆疊結構沿第二方向的寬度，其特征在于：源漏區為金屬硅化物，源漏區與溝道區之間的界面處還包括摻雜離子分凝區。

2.如權利要求1的鰭式場效應晶體管，其中，溝道區厚度為10～100nm。

3.如權利要求1的鰭式場效應晶體管，其中，溝道區摻雜濃度為5E14atom/cm³～5E18atom/cm³。

4.如權利要求1的鰭式場效應晶體管，其中，金屬硅化物包括NiSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、CoSi_2-y或Ni_1-xCo_xSi_2-y，其中x大于0小于1，y大于等于0小于等于1。

5.如權利要求1的鰭式場效應晶體管，其中，摻雜離子分凝區中包含的摻雜離子，對于NMOS而言包括P或As，對于PMOS而言包括B或BF₂。

6.一種鰭式場效應晶體管制造方法，包括步驟：

在SOI襯底上形成鰭形的柵極堆疊結構，沿第二方向延伸；

使得柵極堆疊結構兩側的SOI襯底形成金屬硅化物的源漏區，源漏區之間的SOI襯底構成溝道區，源漏區與溝道區沿第一方向延伸，源漏區沿第二方向的寬度要大于溝道區沿第二方向的寬度且小于柵極堆疊結構沿第二方向的寬度；

向源漏區注入摻雜離子；

分凝退火，使得摻雜離子分凝在源漏區與溝道區之間的界面處。

7.如權利要求6的鰭式場效應晶體管制造方法，其中，形成金屬硅化物源漏區的步驟具體包括：

在未被柵極堆疊結構覆蓋的SOI襯底上形成金屬膜層；

執行第一退火，使得SOI襯底與金屬膜層反應形成富金屬相的硅化物；

執行第二退火，第二退火的溫度大于第一退火的溫度，使得富金屬相的硅化物形成單一的金屬硅化物。

8.如權利要求6的鰭式場效應晶體管制造方法，其中，摻雜離子分凝區中包含的摻雜離子，對于NMOS而言包括P或As，對于PMOS而言包括B或BF₂。

9.如權利要求6的鰭式場效應晶體管制造方法，其中，注入計量為1E14atom/cm²～1E16atom/cm²，注入能量為10～50kEV。

10.如權利要求6的鰭式場效應晶體管制造方法，其中，分凝退火的退火溫度400℃～800℃，退火時間20s～120s。