[發明專利]ITO電極的制備方法

有效

• 申請號: 201210067323.3
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN103309487A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 程志政
• 申請（專利權）人: 深圳歐菲光科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

【技術領域】

本發明涉及電子材料技術，特別是涉及一種ITO電極的制備方法。

【背景技術】

摻錫氧化銦(即Indium?Tin?Oxide，簡稱ITO)，是一種n型半導體材料，由于具有高導電率、高可見光透過率、高機械硬度和化學穩定性，因此，它是一種常用的透明導電材料，運用于各類產品透明電極。在實際的運用中，ITO先是采用物理真空方法蒸鍍于一定的基材，制備成ITO導電層，然后根據需要，將薄膜蝕刻成預定的圖案作為透明電極。

PET基材的ITO導電層作為電極的運用中，是被蝕刻成預定的圖案。由于ITO的膨脹系數與基材的膨脹系數差異巨大，導致ITO導電層蝕刻區域與ITO導電層非蝕刻區域的應力差異顯著，在經過一次完整的銀漿烘烤熱歷程(升溫---恒溫---降溫)后，在ITO非蝕刻區域產生明顯的應力差彎曲形變，類似具有溫度記憶功能雙金屬貼片之形變。在貼合成電容式觸摸屏后，應力差彎曲形變仍然存留在ITO膜表面不會消失。在一般光線及視角下就可以發現此ITO的形變，這種現象不能被高品質的顯示觸摸產品所接受。

【發明內容】

鑒于上述狀況，有必要提供一種可有效減輕ITO電極表面形變可視性的ITO電極的制備方法。

一種ITO電極的制備方法，所述ITO電極采用透明材料制成，所述透明材料包括基材及形成于所述基材上的ITO導電層，在所述透明材料進行銀漿烘烤之前，包括：

在所述基材與所述ITO導電層相對的表面上形成高溫保護膜。

進一步地，還包括：

在所述基材的表面形成ITO導電層，并將所述ITO導電層蝕刻成預定的圖案，得到ITO電極；

所述銀漿烘烤的步驟為在所述ITO導電層的蝕刻區域印刷導電銀漿，并烘干。

進一步地，在所述明材料進行銀漿烘烤之后，還包括：

除去所述高溫保護膜，得到所述ITO電極。

進一步地，所述基材為單層的對苯二甲酸乙二醇酯。

進一步地，對所述基材的表面進行防眩和/或硬化處理。

進一步地，所述高溫保護膜的材質為對苯二甲酸乙二醇酯。

進一步地，所述高溫保護膜的厚度為0.025～0.25毫米。

上述ITO電極的制備方法，在進行銀漿烘烤的步驟之前還包括在基材未附著ITO導電層的表面上形成高溫保護膜的步驟。由于增加高溫保護膜后，所制備的ITO電極的厚度相較于無高溫保護膜產品要厚，且結構強度要高，因此經過銀漿烘烤后，ITO導電層的蝕刻區與非蝕刻區之間不會產生明顯的應力差彎曲變形。因此，采用上述方法制備的ITO電極可有效減輕其表面形變的可視性。

【附圖說明】

圖1為實施例一的ITO電極的制備方法的流程圖；

圖2為實施例二的ITO電極的制備方法的流程圖。

【具體實施方式】

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱圖1，實施例一中的ITO電極的制備方法包括步驟S110～S130。

步驟S110，在基材的表面形成ITO導電層，并將ITO導電層蝕刻成預定的圖案，得到ITO電極。

其中，基材可為玻璃或對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。在本實施例中，基材優選為PET，其中PET既可為單層的，也可為雙層的。基材的厚度為0.020～0.250毫米。在本實施例中，還對基材表面進行防眩和/或硬化處理，防眩和硬化處理可以在基材的一個表面上，也可以是兩個表面上。