[發(fā)明專利]ITO電極的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210067323.3
• 申請(qǐng)日: 2012-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN103309487A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程志政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳歐菲光科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種ITO電極的制備方法，所述ITO電極采用透明材料制成，所述透明材料包括基材及形成于所述基材上的ITO導(dǎo)電層，其特征在于，在所述透明材料進(jìn)行銀漿烘烤之前，包括：

在所述基材與所述ITO導(dǎo)電層相對(duì)的表面上形成高溫保護(hù)膜。

2.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述基材的表面形成ITO導(dǎo)電層，并將所述ITO導(dǎo)電層蝕刻成預(yù)定的圖案，得到ITO電極；

所述銀漿烘烤的步驟為在所述ITO導(dǎo)電層的蝕刻區(qū)域印刷導(dǎo)電銀漿，并烘干。

3.如權(quán)利要求1或2所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，在所述明材料進(jìn)行銀漿烘烤之后，還包括：

除去所述高溫保護(hù)膜。

4.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，對(duì)所述基材的表面進(jìn)行防眩和/或硬化處理。

5.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，所述基材為單層的對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。

6.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，所述基材所謂厚度為0.020～0.250毫米。

7.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，所述高溫保護(hù)膜的材質(zhì)為對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。

8.如權(quán)利要求1所述的ITO電極的制備方法，其特征在于，所述高溫保護(hù)膜的厚度為0.025～0.25毫米。