[發明專利]絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法

無效

• 申請號: 201210067246.1
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102593005A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 張軒雄;楊帆
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，包括：

步驟1：在GeOI材料的Ge面涂上光刻膠，并進行光刻；

步驟2：光刻之后進行堅膜，然后刻蝕掉部分Ge及對應的絕緣層；

步驟3：去除光刻膠，然后外延生長一層Si膜；

步驟4：去除Ge表面生長的Si膜；

步驟5：后續處理，得到絕緣體上鍺硅混合型襯底。

2.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟1中所述GeOI材料，襯底采用晶向為{001}的Si襯底，中間絕緣層采用厚度為3nm-50nm的SiO₂，上層采用厚度為30nm-500nm的Ge層。

3.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟1中所述在GeOI材料的Ge面涂的光刻膠為正膠，厚度為0.8μm-3μm。

4.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟2中所述堅膜，溫度為80℃-150℃，時間為30秒-5分鐘。

5.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟2中所述刻蝕采用的方法為ICP或RIE刻蝕。

6.根據權利要求5所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，所述刻蝕采用的方法為ICP或RIE刻蝕時，刻蝕Ge氛圍為BCl₃、C₂F₆+NF₃或SF₆+O₂，刻蝕SiO氛圍為C₂H₄+CHF₃。

7.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟3中所述去除光刻膠，采用丙酮超聲浸泡的方法，時間為3分鐘-10分鐘。

8.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟3中所述生長Si膜的厚度與Ge層表面齊平，該Si膜的厚度等于Ge層厚度加SiO₂厚度，范圍為33nm-555nm。

9.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟4中所述去除Ge表面的Si膜采用的方法為研磨拋光或干法刻蝕。

10.根據權利要求1所述的絕緣體上鍺硅混合型襯底的制備方法，其特征在于，步驟5中所述后續處理包括溫度處理和化學機械拋光處理。