[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210067195.2 | 申請日： | 2012-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN102931236A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 尾本誠一 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 劉瑞東;陳海紅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
在半導(dǎo)體基板上形成的多晶硅膜；
在上述多晶硅膜上形成的金屬的硅化物膜；
在上述硅化物膜上形成的上述金屬的氧化膜；和
在上述氧化膜上形成的包含鎢或鉬的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及鎢或鉬的氧化膜的生成能量小。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬包含鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鈧、釔、鉻中的至少1種元素。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述氧化膜為非晶質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述氧化膜中的氧濃度沿上述半導(dǎo)體基板的基板面垂直方向變化。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜間形成上述金屬的膜。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在上述半導(dǎo)體基板上，依次形成有隧道絕緣膜、浮置柵極膜、中間絕緣膜和多晶硅電極膜，
在上述多晶硅電極膜上，依次形成有上述硅化物膜、上述氧化膜和上述包含鎢或鉬的膜。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在半導(dǎo)體基板上，依次形成有隧道絕緣膜、多晶硅浮置柵極膜和中間絕緣膜，在上述中間絕緣膜的一部分存在貫通到上述多晶硅浮置柵極膜為止的開口部，
具有在上述開口部中的上述多晶硅浮置柵極膜上，依次形成有金屬的硅化物膜、上述金屬的氧化膜和包含鎢或鉬的膜的構(gòu)造。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及鎢或鉬的氧化膜的生成能量小。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬包含鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鈧、釔、鉻中的至少1種元素。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述氧化膜為非晶質(zhì)。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜間形成上述金屬的膜。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述構(gòu)造構(gòu)成非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的選擇柵極部。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在半導(dǎo)體基板上，依次形成有隧道絕緣膜、多晶硅浮置柵極膜、中間絕緣膜和多晶硅電極膜，在上述多晶硅電極膜及中間絕緣膜的一部分存在貫通到上述多晶硅浮置柵極膜為止的開口部，
具有在上述開口部中的上述多晶硅浮置柵極膜及上述開口部以外的部分中的上述多晶硅電極膜上，依次形成有金屬的硅化物膜、上述金屬的氧化膜和包含鎢或鉬的膜的構(gòu)造。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及鎢或鉬的氧化膜的生成能量小。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述金屬包含鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鈧、釔、鉻中的至少1種元素。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述氧化膜為非晶質(zhì)。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜間形成上述金屬的膜。
19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述構(gòu)造構(gòu)成非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的選擇柵極部。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的存儲單元部，具有在上述半導(dǎo)體基板上依次形成有上述隧道絕緣膜、上述多晶硅浮置柵極膜、上述中間絕緣膜、上述多晶硅電極膜、上述硅化物膜、上述氧化膜和上述包含鎢或鉬的膜的構(gòu)造。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社東芝，未經(jīng)株式會社東芝許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210067195.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種全自動對焦動畫線拍機的連接方式
- 下一篇：用于電熱水器的混合恒溫器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
