[發明專利]半導體存儲卡

有效

• 申請號: 201210067074.8
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102693967A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 土井一英;奧村尚久;西山拓;渡邊勝好;生田武史
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉薇;陳海紅

相關申請的交叉引用

本申請基于2011年3月24日提交的日本專利申請No.2011-065473和2011年11月4日提交的日本專利申請No.2011-242191，并要求其優先權，其全部內容在此包含作為參考。

技術領域

在此公開的實施方式一般涉及半導體存儲卡。

背景技術

在內置NAND型閃速存儲器等的半導體存儲卡中，小型化和高容量化已取得進展。為了謀求半導體存儲卡的低成本化，正在研究將構成半導體存儲卡的存儲器芯片和/或控制器芯片等半導體芯片裝載在具有外部連接端子的引線框上。在引線框上除了半導體芯片外，還裝載有電容器和/或熔絲等芯片零件。在使用了引線框的半導體存儲卡中，除去外部連接端子的表面，引線框整體和半導體芯片和/或芯片零件一起被樹脂密封。

在使用引線框作為半導體存儲卡的電路基材的情況下，有可能根據引線框的結構發生異常。例如，引線框與布線基板相比，由于電路的形成受到限制，因此，有可能只以引線框和焊線形成存儲器芯片和/或控制器芯片的電路變得困難。進一步地，對于按各種規格規定半導體存儲卡的厚度，半導體芯片和/或芯片零件的高度不一樣，一般是芯片零件的高度比半導體芯片的高度高。在這種條件下，如果將引線框和半導體芯片和/或芯片零件一起進行樹脂密封，則有可能由于芯片零件的密封樹脂層而導致覆蓋性降低，或者在樹脂密封時發生半導體存儲卡的翹起和/或引線框的位置偏移。

發明內容

根據一個實施方式，提供一種半導體存儲卡，其具備引線框、存儲器芯片、控制器芯片、以及密封芯片零件、存儲器芯片、控制器芯片和引線框的密封樹脂層。引線框具備多個外部連接端子、具有至少一部分與外部連接端子連接的多個引線的引線部、在引線部設置的芯片零件裝載部、和半導體芯片裝載部。芯片零件被裝載在引線框的芯片零件裝載部上，并且與引線電氣連接。存儲器芯片具有芯片主體、在芯片主體形成的第1電極焊盤、以使第1電極焊盤露出并且覆蓋芯片主體的表面的方式形成的絕緣樹脂膜、和在絕緣樹脂膜上形成的再布線層。控制器芯片具有第2電極焊盤。引線框上的存儲器芯片和控制器芯片的電氣電路具有引線、再布線層、以及與從第1電極焊盤、第2電極焊盤、引線和再布線層中選擇的至少一個連接的金屬線。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體存儲卡的頂面透過圖。

圖2是表示圖1所示的半導體存儲卡的底面圖。

圖3是表示圖1所示的半導體存儲卡的剖面圖。

圖4是表示第1比較例的半導體存儲卡中的引線框的剖面構成的圖。

圖5是表示第2比較例的半導體存儲卡中的引線框的剖面構成的圖。

圖6是表示第1實施方式的半導體存儲卡中的引線框的剖面構成的圖。

圖7是表示第2實施方式的半導體存儲卡的頂面透過圖。

圖8是表示第3實施方式的半導體存儲卡的頂面透過圖。

圖9是表示圖8所示的半導體存儲卡中的存儲器芯片的再布線層的第1構成例子的剖面圖。

圖10是表示圖8所示的半導體存儲卡中的存儲器芯片的再布線層的第2構成例子的剖面圖。

圖11是表示圖10所示的再布線層的變形例的剖面圖。

圖12是表示圖8所示的半導體存儲卡中的存儲器芯片的再布線層的第3構成例子的剖面圖。

圖13是表示圖8所示的半導體存儲卡的變形例的剖面圖。

圖14是表示第4實施方式的半導體存儲卡的頂面透過圖。

圖15是表示圖14所示的半導體存儲卡的剖面圖。

圖16是表示第5實施方式的半導體存儲卡的頂面透過圖。

具體實施方式

第1實施方式

圖1至圖3是表示第1實施方式的半導體存儲卡的圖。圖1是第1實施方式的半導體存儲卡的頂面圖，是透過半導體存儲卡的構成而示出的圖(頂面透過圖)，圖2是第1實施方式的半導體存儲卡的底面圖，圖3是在長方向(插入卡槽的方向)上切斷第1實施方式的半導體存儲卡的剖面圖。這些圖所示的半導體存儲卡1作為各種規格的存儲卡使用。