[發(fā)明專利]半導體器件側(cè)墻空洞層結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210066525.6
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102623343A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 黃曉櫓
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種半導體器件側(cè)墻空洞層結(jié)構(gòu)，包括半導體襯底、柵極、介質(zhì)層和接觸孔，其特征在于，所述柵極的外側(cè)設有空洞層，所述空洞層的外側(cè)設有外側(cè)墻層，所述空洞層和所述柵極和半導體襯底之間設有SiO₂層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件側(cè)墻空洞層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件側(cè)墻空洞層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外側(cè)墻層的材料為SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一種或者幾種的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件側(cè)墻空洞層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，在設有柵極的半導體襯底上沉積一層無定形碳層；

步驟2，自對準刻蝕形成無定形碳側(cè)墻；

步驟3，沉積外側(cè)墻層材料；

步驟4，自對準刻蝕形成外側(cè)墻層，所述外側(cè)墻層封閉住無定形碳側(cè)墻；

步驟5，進行源、漏極離子注入、高溫退火；

步驟6，沉積介質(zhì)層，隨后采用化學機械研磨至柵極頂部，并直至無定形碳側(cè)墻露出；

步驟7，進行灰化處理將無定形碳側(cè)墻全部灰化干凈，并繼續(xù)灰化直至柵極和露出的硅表面形成一層SiO₂層；

步驟8，快速填充介質(zhì)層，使去除了無定形碳側(cè)墻的部分仍然保留著孔隙；

步驟9，進行接觸孔工藝。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述外側(cè)墻層的材料為SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一種或者幾種的組合。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟1中的沉積采用化學氣相法沉積。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟1為先在設有柵極的半導體襯底上生長或沉積一層SiO₂層，再沉積一層無定形碳層。