[發明專利]一種背柵薄膜晶體管存儲器的制備方法

無效

• 申請號: 201210066084.X
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102593065A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 丁士進;崔興美;陳筍;王鵬飛;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/8256
• 分類號: H01L21/8256;H01L21/443
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種背柵薄膜晶體管存儲器的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

采用電阻率為0.008-0.100?Ω·cm的重摻雜的P型單晶硅片作為襯底，用RCA清洗工藝對硅片進行清洗，然后用氫氟酸去除硅片表面的氧化層；

在清洗好的P型單晶硅片上，采用ALD?的方法淀積生長Al₂O₃薄膜，作為存儲器的電荷阻擋層，Al₂O₃薄膜的厚度為15-200nm；淀積過程中，襯底溫度控制在100-300^?oC之間；生長Al₂O₃的反應源為三甲基鋁和水蒸氣；

采用ALD的方法在Al₂O₃薄膜上淀積生長金屬納米晶作為電荷俘獲層，淀積溫度控制在100-400^oC之間；

采用ALD的方法，由下而上依次生長SiO₂、HfO₂、Al₂O₃薄膜，以形成SiO₂/HfO₂/Al₂O₃的疊層結構薄膜，作為存儲器的隧穿氧化層；SiO₂、HfO₂和Al₂O₃?和薄膜的淀積溫度控制在100-300^?oC之間，各單層薄膜的厚度均為1-10nm；?

采用ALD的方法，在隧穿氧化層上淀積IGZO薄膜，作為存儲器的導電溝道；淀積溫度控制在100-300^oC范圍內，IGZO薄膜的厚度控制在10-120nm之間；

在IGZO薄膜上旋涂一層光刻膠，并利用光刻的方法形成被光刻膠保護的區域，該區域即為器件的有源區；然后，利用濕法刻蝕對非保護的IGZO薄膜進行刻蝕；刻蝕劑采用濃度為0.01%-2%的鹽酸、硝酸、磷酸或氫氟酸，刻蝕時間為10-600s；最后，去除光刻膠，形成單個器件的有源區；

再旋涂一層光刻膠，利用光刻的方法在光刻膠上形成器件的源、漏極開孔區域；

通過電子束蒸發的方法淀積一層厚度為50-250nm的金屬Al或Ag薄膜；

采用lift-off的方法去除光刻膠，形成器件的源、漏電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的金屬納米晶為Pt納米晶、Ru納米晶或Pd納米晶。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟（）中，原子層淀積IGZO薄膜采用三種金屬有機源，分別為環戊二烯基銦、六－(二甲基胺)鎵、二乙基鋅，氧化劑采用水、氧氣或臭氧。