[發明專利]一種內建模擬電源電路

有效

• 申請號: 201210063866.8
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN102609023A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 賈曉偉;鄧龍利;王帥旗
• 申請（專利權）人: 北京經緯恒潤科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種內建模擬電源電路，其特征在于，包括：帶隙基準源、運算放大器、第一補償電容、第二補償電容、第一穩壓電容、第二穩壓電容、高壓PMOS功率管、低壓NMOS管、第一電阻、第二電阻和外部電源電壓；

所述帶隙基準源的基準電壓輸出端與所述運算放大器的負輸入端相連；所述帶隙基準源的基準電壓輸出端通過所述第二穩壓電容接地；

所述運算放大器的輸出端、所述第一補償電容的上極板與所述高壓PMOS功率管的柵極相連；所述高壓PMOS功率管的漏極、所述第二電阻的一端、所述第二補償電容的下極板、所述低壓NMOS管的漏極與所述第一穩壓電容的上極板相連；所述第二電阻的另一端、所述第一電阻的一端、所述第二補償電容的上極板、所述低壓NMOS管的柵極與所述運算放大器的正輸入端相連；所述外部電源電壓與所述帶隙基準源的電源端、所述運算放大器的電源端、所述第一補償電容的下極板、所述高壓功率管的源極及襯底相連；所述帶隙基準源的地端、所述運算放大器的地端、所述第一電阻的另一端、所述低壓NMOS管的源極及襯底、所述第一穩壓電容的下極板與地電壓相連。

2.根據權利要求1所述的內建模擬電源電路，其特征在于，所述帶隙基準源、所述運算放大器，所述第一補償電容及所述高壓PMOS功率管為耐高壓器件。

3.根據權利要求1所述的內建模擬電源電路，其特征在于，所述第一穩壓電容、所述第二補償電容、所述第二穩壓電容、所述第一電阻、所述第二電阻和所述低壓NMOS管為低壓器件。

4.根據權利要求1所述的內建模擬電源電路，其特征在于，所述內建模擬電源電路的主極點設置在所述運算放大器的輸出端，所述內建模擬電源電路的次極點設置在所述內建模擬電源電路的內部模擬電源輸出端，所述內部模擬電源輸出端與所述高壓PMOS功率管的漏極相連。