[發明專利]具有電阻電路的半導體裝置

有效

• 申請號: 201210063849.4
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN102683344A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 原田博文
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種具有電阻電路的半導體裝置，其具有電阻電路和絕緣柵場效應晶體管，所述電阻電路包括：

由設置在半導體襯底的表面上的分離用氧化膜上所配置的第一薄膜構成的電阻元件；

形成在所述電阻元件上的第二薄膜；

形成在所述第二薄膜上的中間絕緣膜；

設置在所述中間絕緣膜中的、所述電阻元件上的接觸孔，其貫通所述第二薄膜，深度到達所述第一薄膜；以及

形成在所述接觸孔上的金屬配線，

所述絕緣柵場效應晶體管設置在所述半導體襯底的、周圍被所述分離用氧化膜包圍的區域中。

2.根據權利要求1所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜位于所述第一薄膜上，平面形狀與由所述第一薄膜構成的電阻元件相同。

3.根據權利要求1所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜位于所述第一薄膜上，形成在包含所述接觸孔在內的分開的區域中。

4.根據權利要求1所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜位于所述第一薄膜上，形成在包含由所述第一薄膜構成的電阻元件在內的比電阻元件更廣的區域中。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第一薄膜的厚度為以下。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第一薄膜是第一多晶硅膜，含有雜質濃度在1×10¹⁵～5×10¹⁹atoms/cm³的范圍內的第一導電類型的雜質。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第一薄膜是CrSi或CrSiN或CrSiO或NiCr或TiN的薄膜。

8.根據權利要求6所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜是含有導電類型與所述第一多晶硅相反的雜質的第二多晶硅膜。

9.根據權利要求6所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜是不含雜質的第二多晶硅膜。

10.根據權利要求1至5中任意一項所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜是氮化硅膜。

11.根據權利要求10所述的具有電阻電路的半導體裝置，其中，

所述第二薄膜的膜厚為至