[發明專利]采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法有效
| 申請號： | 201210063511.9 | 申請日： | 2012-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN102534775A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 葉寧;吳少凡;蘇偉平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 籽晶 生長 摻鈰溴化鑭 閃爍 晶體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法，其特征在于：采用與溴化鑭晶體結構參數與對稱性相似的晶體材料制成的籽晶制備摻鈰溴化鑭閃爍晶體。
2.如權利要求1所述的采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法，其特征在于：該晶體材料結構屬于三方或六方晶系，結晶學參數a軸和b軸長度范圍為到
3.如權利要求1所述的采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法，其特征在于：該晶體材料結構屬于三方或六方晶系，結晶學參數a軸和b軸長度范圍為到
4.如權利要求4所述的采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法，其特征在于：該晶體材料為石英晶體。
5.如權利要求1所述的采用異相籽晶生長摻鈰溴化鑭閃爍晶體的方法，其特征在于：該閃爍晶體的化學組成為Cex:La(1-x)Br3，其中x是Ce置換La的摩爾比，范圍為0.0001＜x＜0.1。
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