[發明專利]新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池無效
| 申請號: | 201210062485.8 | 申請日: | 2012-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN103311318A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 陳政宏;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0749 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 中間層 氧化 控制 擴散 銅銦鎵硒 太陽能電池 | ||
1.一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池,其目的在于大幅增加銅銦鎵硒太陽能電池的質量,經由中間層三氧化二鋁控制鈉擴散,進而達到高生產量率及高效率之銅銦鎵硒太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池,其中中間層三氧化二鋁系利用真空濺鍍法制備,以得到有效控制鈉擴散之中間層。
3.根據權利要求1所述的一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池,其中鉬背電極使用高純度鉬金屬靶材及利用真空濺鍍法,以制備高質量之背電極。
4.根據權利要求1所述的一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池,其中銅銦鎵硒薄膜可使用共蒸鍍法、真空濺鍍法、硒化法及快速退火法,制備高質量之銅銦鎵硒薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





