[發明專利]新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池

無效

• 申請號: 201210062485.8
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN103311318A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 陳政宏;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0749
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

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所屬技術領域

本發明關于一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池，其目的在于大幅增加銅銦鎵硒太陽能電池的質量，經由中間層三氧化二鋁控制鈉擴散，進而達到高生產量率及高效率之銅銦鎵硒太陽能電池。?

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背景技術

由于能源價格高漲，全球各地皆再尋求替代的綠色能源，銅銦鎵硒太陽能電池即是一種將太陽光轉換成電能的有效率的綠色能源。?

目前，業界大多采用一般銅銦鎵硒太陽能電池，但此方式仍有鈉擴散無法控制導致低發電效率的缺點存在，其中造成太陽能電池價格過高，無法有效普及化應用于生活中的一大因素。?

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發明內容

本發明主要目的系一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池，此技術方法于使用真空濺鍍法制作中間層三氧化二鋁，其目的在于控制鈉擴散，并大幅增加銅銦鎵硒太陽能電池的質量及生產良率，且提高銅銦鎵硒太陽能電池的短路電流，進而達到生產成本降低及高效率之銅銦鎵硒太陽能電池。?

一種新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于，包含了：?

一玻璃基板；

一中間層三氧化二鋁；

一鉬背電極；

一銅銦鎵硒薄膜；

一硫化鉻；

一導電透明穿透層；

一金屬前電極；

其中，該中間層三氧化二鋁系利用真空濺鍍法制備，以得到有效控制鈉擴散之中間層。

其中，該鉬背電極使用高純度鉬金屬靶材及利用真空濺鍍法，以制備高質量之背電極。?

其中，該銅銦鎵硒薄膜可使用共蒸鍍法、真空濺鍍法、硒化法及快速退火法，制備高質量之銅銦鎵硒薄膜。?

與傳統銅銦鎵硒太陽能電池技術作比較，本發明具有的有效效益為：?

本發明所使用的新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池，包含了玻璃基板、中間層三氧化二鋁、鉬背電極、銅銦鎵硒薄膜、硫化鉻、導電透明穿透層及金屬前電極。真空濺鍍法制作中間層三氧化二鋁，有效控制鈉擴散，并提升銅銦鎵硒太陽能電池的質量及生產良率，進而獲得高效率銅銦鎵硒太陽能電池，并降低生產成本達到符合市場需求的目的。

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附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。?

圖1是本發明之新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池的新型結構圖。?

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主要組件符號說明。

1?…玻璃基板。?

2?…中間層三氧化二鋁。?

3?…鉬背電極。?

4?…銅銦鎵硒薄膜。?

5?…硫化鉻。?

6?…導電透明穿透層。?

7?…金屬前電極。?

具體實施方式

茲將本發明配合附圖,詳細說明如下：?

參照圖1，是本發明新型中間層三氧化二鋁控制鈉擴散之銅銦鎵硒太陽能電池的新型結構圖。

其中包含了玻璃基板1、中間層三氧化二鋁2、鉬背電極3、銅銦鎵硒薄膜4、硫化鉻5、導電透明穿透層6及金屬前電極7。?

為了能夠制備控制鈉之中間層三氧化二鋁的銅銦鎵硒太陽能電池，其結構如下：玻璃基板1、中間層三氧化二鋁2、鉬背電極3、銅銦鎵硒薄膜4、硫化鉻5、導電透明穿透層6及金屬前電極7。利用濺鍍系統并通入氬氣，再施加高電壓將氬氣激發為氬氣離子，并撞擊三氧化二鋁靶材使其沉積在玻璃基板上，形成有效控制鈉擴散之中間層三氧化二鋁，并制備成高質量高效率之銅銦鎵硒太陽能電池。?

以上說明,對本發明而言只是說明性的，非限制性的，本領域普通技術人員理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發明的保護范圍之內。?