[發明專利]微波溶劑熱合成Cu2ZnSnS4半導體材料的方法無效
| 申請號: | 201210062461.2 | 申請日: | 2012-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN102557117A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 龍飛;曾彥;鄒正光;王東生 | 申請(專利權)人: | 桂林理工大學;廣西地凱光伏能源有限公司 |
| 主分類號: | C01G19/00 | 分類號: | C01G19/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微波 溶劑 合成 cu sub znsns 半導體材料 方法 | ||
技術領域:
本發明涉及一種Cu2ZnSnS4(CZTS)半導體材料的微波溶劑熱合成工藝,所合成的半導體材料可被用于太陽能電池、光電傳感器領域。
背景技術:
Cu2ZnSnS4半導體材料可用于CZTS系列薄膜太陽能電池和相關光電轉換器件開發生產。目前常用的Cu2ZnSnS4半導體材料的合成方法有真空熱蒸發法、電子束蒸發法、濺射法、噴霧熱解法、電沉積法、溶膠凝膠法及分子束外延法等,它們中的一些所需的反應條件較為苛刻,對設備的要求較高,反應成本高,工藝冗繁難控,另一些反應速度慢,需要在高溫高壓下進行較長時間的反應才能獲得。
發明內容
本發明的目的是以銅鹽、鋅鹽、錫鹽和硫源為原料,在微波輔助下利用溶劑熱法快速合成Cu2ZnSnS4半導體材料。
具體步驟為:
將銅鹽、鋅鹽、錫鹽和硫源按摩爾配比(1~3)∶(0.5~1.5)∶(0.5~1.5)∶(4~6)混合,加入溶劑,溶劑用量為使上述原料完全溶解且溶劑體積不超過反應釜容積的2/3,混合均勻后倒入反應釜,密閉后放入微波場中加熱,待溫度上升至100~250℃后保溫0.5~12小時,所得產物經過蒸餾水和無水乙醇離心洗滌2~3次,然后在70~90℃下的真空干燥箱內干燥7~9小時得Cu2ZnSnS4半導體材料;
所述溶劑為水、乙二醇、乙二胺和聯胺中的一種或多種;
所述銅鹽為乙酸銅、氯化銅和硝酸銅中的一種或多種;
所述鋅鹽為乙酸鋅、氯化鋅和硝酸鋅中的一種或多種;
所述錫鹽為四氯化錫或二氯化錫;
所述硫源為硫脲或硫粉。
本發明具有合成速度快、產物純凈、成本低、工藝控制容易等優點。此外,微波輔助溶劑熱合成工藝與常見的高壓溶劑熱合成工藝相比,反應裝置更簡單、反應速度更快、反應過程可控性更佳、目標產物純度更高。
附圖說明
圖1為本發明合成工藝流程圖。
圖2為本發明實施例微波溶劑熱合成Cu2ZnSnS4半導體材料的SEM形貌圖。
圖3為本發明實施例微波溶劑熱合成Cu2ZnSnS4半導體材料的XRD衍射圖譜。
具體實施方式
實施例:
將2.995克乙酸銅、1.642克乙酸鋅、2.628克四氯化錫和硫脲2.283克倒入燒杯中,放入一個攪拌磁子,再加入30ml乙二醇溶解,轉移至磁力攪拌器,待原料攪拌均勻后倒入容積為50ml的微波反應釜,安裝好反應裝置,設定溫度為250℃,保溫3小時,保溫結束后自然冷卻到室溫,將反應液轉移到燒杯中,然后分別經蒸餾水和無水乙醇離心洗滌3次,將離心洗滌后的產物在真空干燥箱內80℃下真空干燥8小時。產物經XRD分析為Cu2ZnSnS4,經電子掃描電鏡分析,產物主要由不規則的顆粒狀粉體組成,顆粒狀粉體的粒徑大小約1-2μm,通過放大的圖片可以看出,顆粒狀粉體由許多小的不規則片狀物團聚而成。
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