[發明專利]微波溶劑熱合成Cu2ZnSnS4半導體材料的方法無效
| 申請號： | 201210062461.2 | 申請日： | 2012-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102557117A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 龍飛;曾彥;鄒正光;王東生 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學;廣西地凱光伏能源有限公司 |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微波 溶劑 合成 cu sub znsns 半導體材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微波溶劑熱合成Cu2ZnSnS4半導體材料的方法，其特征在于具體步驟為：
將銅鹽、鋅鹽、錫鹽和硫源按摩爾配比(1～3)∶(0.5～1.5)∶(0.5～1.5)∶(4～6)混合，加入溶劑，溶劑用量為使上述原料完全溶解且溶劑體積不超過反應釜容積的2/3，混合均勻后倒入反應釜，密閉后放入微波場中加熱，待溫度上升至100～250℃后保溫0.5～12小時，所得產物經過蒸餾水和無水乙醇離心洗滌2～3次，然后在70～90℃下的真空干燥箱內干燥7～9小時得Cu2ZnSnS4半導體材料；
所述溶劑為水、乙二醇、乙二胺和聯胺中的一種或多種；
所述銅鹽為乙酸銅、氯化銅和硝酸銅中的一種或多種；
所述鋅鹽為乙酸鋅、氯化鋅和硝酸鋅中的一種或多種；
所述錫鹽為四氯化錫或二氯化錫；
所述硫源為硫脲或硫粉。
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