[發明專利]具有改進的熱穩定性的傳感器有效
| 申請號： | 201210061967.1 | 申請日： | 2012-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN102680035A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | Y-F·王;S·E·貝克 | 申請（專利權）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | G01F1/69 | 分類號： | G01F1/69 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;盧江 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 改進 熱穩定性 傳感器 | ||
1.一種用于感測沿著流向的流體的流量的流量感測管芯(100)，該流量感測管芯(100)包括：
襯底(102)，該襯底(102)限定膜106)；
由該膜(106)支承的加熱器電阻器(112)，其中該加熱器電阻器(112)包括摻雜有第一濃度的摻雜劑(306)的多晶硅材料；
第一感測電阻器，由該膜(106)支承，位于該加熱器電阻器(112)的相對于流向的上游位置；
第二感測電阻器，由該膜(106)支承，位于該加熱器電阻器(112)的相對于流向的下游位置；以及
其中所述第一感測電阻器和第二感測電阻器包括摻雜有第二濃度的摻雜劑(306)的多晶硅材料，其中所述第二濃度大于所述第一濃度。
2.根據權利要求1所述的流量感測管芯(100)，其中該第一濃度的摻雜劑(306)被配置為提供具有在零加或減大約500ppm/℃的范圍內的電阻溫度系數(TCR)的加熱器電阻器(112)。
3.根據權利要求1至2所述的流量感測管芯(100)，其中該第二濃度的摻雜劑(306)被配置為在該第一感測電阻器和該第二感測電阻器內提供相對于該加熱器電阻器(112)更大的電阻溫度系數。
4.根據權利要求1至3所述的流量感測管芯(100)，其中該摻雜劑(306)包括磷，砷，硼，銻，鋁，或者鎵。
5.根據權利要求1至4所述的流量感測管芯(100)，其中，當該加熱器電阻器(112)被啟動時，該第一感測電阻器和該第二感測電阻器被配置為感測沿著流向的流體的流量中的溫度差。
6.根據權利要求1至5所述的流量感測管芯(100)，其中該加熱器電阻器(112)，第一感測電阻器，和第二感測電阻器是薄膜電阻元件。
7.一種制造流量感測管芯(100)的方法，該方法包括：
提供襯底(102)；
在該襯底(102)上沉積一個或多個多晶硅層(104)；
對該一個或多個多晶硅層(104)的第一部分進行摻雜以具有在零加或減1000ppm/℃的范圍內的第一電阻溫度系數(TCR)；
在該一個或多個多晶硅層(104)的該第一部分內限定加熱器元件；
對該一個或多個多晶硅層(104)的第二部分進行摻雜以具有第二電阻溫度系數，其中第二電阻溫度系數高于第一電阻溫度系數；以及
在該一個或多個多晶硅層(104)的該第二部分內限定一個或多個感測元件。
8.根據權利要求7所述的方法，其中該第一TCR在零加或減大約500ppm/℃的范圍內。
9.根據權利要求7至8所述的方法，其中
對該一個或多個多晶硅層(104)的第一部分進行摻雜以具有第一電阻溫度系數包括對該一個或多個多晶硅層(104)的該第一部分摻雜第一濃度的摻雜劑(306)；以及
對該一個或多個多晶硅層(104)的第二部分進行摻雜以具有第二電阻溫度系數包括對該一個或多個多晶硅層(104)的該第二部分摻雜第二濃度的摻雜劑(306)，其中該第二濃度大于該第一濃度。
10.根據權利要求9所述的方法，其中該一個或多個多晶硅層(104)的該第一部分在第一摻雜過程中被摻雜，以及該一個或多個多晶硅層(104)的該第二部分在該第一摻雜過程和第二摻雜過程中被摻雜。
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