[發明專利]MOS晶體管及其制造方法在審

申請號：	201210061962.9	申請日：	2012-03-09
公開（公告）號：	CN102593179A	公開（公告）日：	2012-07-18
發明（設計）人：	吳小利	申請（專利權）人：	上海宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	鄭瑋
地址：	201203 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	mos 晶體管及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體設計與制造領域，更具體地說，本發明涉及一種MOS晶體管及其制造方法。?

背景技術

MOS晶體管是金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管的簡稱，有P型MOS管和N型MOS管之分。?

圖1示意性地示出了根據現有技術的MOS晶體管的結構。?

如圖1所示，MOS晶體管包括布置在襯底2中的阱21中的源極和漏極(統一標識為3)，以及布置在襯底上方源極和漏極之間的柵極1。?

對于根據現有技術的MOS晶體管的的制造，從掩膜(也稱為光罩)的意義上來說，一個MOS晶體管通常需要：阱21注入，多晶硅柵極1的刻蝕、輕摻雜區4的注入，和源極或漏極3的注入。請參考基本的MOS制造工藝；這涉及到四次光刻過程。?

光刻次數越多，則需要的掩膜可能越多，耗費的時間更長，因此工藝成本越高。?

所以，希望提出一種能夠減少MOS晶體管的光刻過次數的MOS晶體管結構及其制造方法。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠減少MOS晶體管的光刻過次數的MOS晶體管結構及其制造方法。?

根據本發明的第一方面，提供了一種一種MOS晶體管，其特征在于包括：布置在襯底中的源漏阱區、布置在所述源漏阱區中的源極及漏極、布置在所述源漏阱區中的位于源極及漏極之間的輕摻雜區、以及布置在源極及漏極之間的柵極；其中，源極及漏極的上表面低于柵極的柵極氧化物的下表面；并且，所?述輕摻雜區位于所述柵極的下方。?

優選地，所述MOS晶體管是0.35um以上柵長的MOS晶體管。?

根據本發明的第二方面，提供了一種MOS晶體管的制造方法，其中所述MOS晶體管包括：布置在襯底中的源漏阱區、布置在所述源漏阱區中的源極及漏極、布置在所述源漏阱區中的位于源極及漏極之間的輕摻雜區、以及布置在源極及漏極之間的柵極；其中，源極及漏極的上表面低于柵極的柵極氧化物的下表面；并且，所述輕摻雜區位于所述柵極的下方；所述制造方法包括：在生長了柵氧和多晶硅的襯底上涂覆光刻膠，并執行光刻以形成源漏區；利用所述光刻膠刻蝕多晶硅和柵氧；利用所述光刻膠刻蝕硅襯底；以及利用所述光刻膠分別進行阱注入、輕摻雜區注入和源漏注入。?

優選地，所述MOS晶體管是0.35um以上柵長的MOS晶體管。?

優選地，在利用所述光刻膠分別進行阱注入、輕摻雜區注入和源漏注入的步驟中，源漏阱區的注入角度為30-45度，輕摻雜區是注入角度為10-30度，源極及漏極的注入角度為0度。?

通過利用根據本發明的MOS晶體管結構以及MOS晶體管制造方法，可以節省光刻次數、減少掩膜數量、縮短工藝時間，降低工藝成本。?

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：?

圖1示意性地示出了根據現有技術的MOS晶體管的結構。?

圖2示意性地示出了根據本發明實施例的MOS晶體管的結構。?

圖3及圖4示意性地示出了根據本發明實施例的MOS晶體管的光刻步驟的示意圖。?

圖5示出了圖1所示的現有技術的MOS晶體管以及圖2所示的根據本發明實施例的MOS晶體管的閾值電壓Vt的仿真測試結果。?

圖6示出了圖1所示的現有技術的MOS晶體管以及圖2所示的根據本發明實施例的MOS晶體管的擊穿電壓BV的仿真測試結果。?

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構?的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。?

具體實施方式