[發明專利]MOS晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201210061962.9
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102593179A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 吳小利
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種MOS晶體管，其特征在于包括：布置在襯底中的阱區、以及布置在源極及漏極之間的柵極、布置在所述源漏阱區中的位于源極及漏極之間的輕摻雜區、布置在所述源漏阱區中的源極及漏極；其中，源極及漏極的上表面低于柵極的柵極氧化物的下表面；并且，所述輕摻雜區位于所述柵極的下方。

2.根據權利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管是0.35um以上柵長的MOS晶體管。

3.一種MOS晶體管的制造方法，其中所述MOS晶體管包括：布置在襯底中的源漏阱區、布置在所述源漏阱區中的源極及漏極、布置在所述源漏阱區中的位于源極及漏極之間的輕摻雜區、以及布置在源極及漏極之間的柵極；其中，源極及漏極的上表面低于柵極的柵極氧化物的下表面；并且，所述輕摻雜區位于所述柵極的下方；其特征在于所述制造方法包括：

在生長了柵氧和多晶硅的襯底上涂覆光刻膠，并執行光刻以形成源漏區；利用所述光刻膠刻蝕多晶硅和柵氧；

利用所述光刻膠刻蝕硅襯底；以及

利用所述光刻膠分別進行阱注入、輕摻雜區注入和源漏注入。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述MOS晶體管是0.35um以上柵長的MOS晶體管。

5.根據權利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，在利用所述光刻膠分別進行阱注入、輕摻雜區注入和源漏注入的步驟中，源漏阱區的注入角度為30-45度，輕摻雜區是注入角度為10-30度，源極及漏極的注入角度為0度。