[發明專利]硅片的清洗工藝

有效

• 申請號: 201210061167.X
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102569036A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 唐國琴
• 申請（專利權）人: 常州銀河半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 常州市天龍專利事務所有限公司 32105
• 代理人: 夏海初

技術領域

本發明涉及一種主要用于電子器件的硅片的清洗工藝，該硅片的清洗工藝也適用于太陽能硅片的清洗。?

背景技術

目前，所述硅片的清洗工藝，是以切割后的硅片為處理對象，將硅片放入哈摩粉和去離子水配制的清洗溶液，反復清洗三遍以上，然后通過甩干機甩干，其具體工藝步驟是：?

第一步：將硅片放入裝有哈摩粉混合溶液的第一超聲波清洗機內進行清洗，在去離子水溫度為80-85℃，超聲波清洗15~20分鐘；

第二步：從第一超聲波清洗機內取出硅片，放入裝有去離子水的水槽內沖洗八遍以上后取出；

第三步，將硅片放入裝有哈摩粉混合溶液的第二超聲波清洗機內進行清洗，在去離子水溫度為80-85℃，超聲波清洗15~20分鐘；

第四步，從第二超聲波清洗機內取出硅片，放入裝有去離子水的水槽內沖洗八遍以上后取出；

第五步，將硅片放入裝有去離子水的第三超聲波清洗機內進行清洗，在去離子水溫度為80-85℃，超聲波清洗15~20分鐘；

第六步，從第三超聲波清洗機內取出硅片，放入裝有去離子水的水槽內沖洗八遍以上后取出；

第七步，將第六步沖洗后的硅片放入甩干機內甩干，即清洗完畢。

而硅片已有的三洗三漂清洗方式存在一定的缺點：第一、由于哈摩粉是粉狀顆粒物，在其與去離子水配制清洗溶液時，會結塊或者粘結，即使放在容器內攪拌也會粘結在容器壁上，溶于水的有效性差，因此，清洗后的硅片表面不光潔，清洗效果不佳；第二，由于清洗后的硅片表面潔凈度低，使得硅片表面會有斑點和劃痕等現象；用過濾紙擦拭后，過濾紙還會有發黑的情況，而且硅片表面光潔度低，以致硅片還要進行研磨和拋光處理；檢測硅片的電性能反相恢復時間一般只在1400NS左右，擊穿電壓也比較離散，一般在800~1400V范圍內，使得硅片不僅加工工藝繁瑣、工作效率低，而且檢測硅片的電性能低，即合格率低；第三，由于每天要排放大量由哈摩粉和水配制而成的清洗溶液，因此，污染大，不夠節能環保。?

發明內容

本發明的目的是：提供一種工藝合理，硅片表面清潔度高的硅片清洗工藝，以克服已有技術的不足。?

實現本發明目的的技術方案是：一種硅片的清洗工藝，以經過切割處理的硅片為加工對象，而其清洗工藝依次按以下步驟進行：?

第一步：將硅片放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在16~25分鐘范圍內，所述超聲波清洗機的頻率控制在40~55Hz范圍內，所述清洗混合溶液是由去離子水：清洗劑按容積比為22~25??：0.6~1.0配制的混合液；

第二步：將經第一步清洗后的硅片，放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第三步：將經第二步沖洗后的硅片放入甩干機內甩干，且甩干機的轉速控制在650~750轉/分鐘范圍內；

第四步：將經第三步甩干后的硅片放入腐蝕溶液中進行腐蝕，且時間控制在30~45秒范圍內；所述腐蝕溶液是由硝酸：氫氟酸：冰乙酸：去離子水按容積比為1~2：2~4：1~2：3~6.8配制的混合液；

第五步：將經第四步腐蝕后的硅片放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第六步：將經第五步沖洗后的硅片放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在16~25分鐘范圍內，所述超聲波清洗機的頻率控制在40~55Hz范圍內；所述清洗混合溶液是由去離子水：清洗劑按容積比為22~25??：0.6~1.0配制的混合液；

第七步：將經第六步超聲波清洗后的硅片放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第八步：將經第七步沖洗后的硅片放入甩干機內甩干，且甩干機的轉速控制在650~750轉/分鐘范圍內；

第九步：將經第八步甩干后的硅片放入烘箱內烘燥25~65分鐘，且溫度控制在40~90℃范圍內，即硅片清洗完畢。

在上述硅片的清洗工藝中，所述清洗混合溶液中的清洗劑，是其成分包含氫氧化鉀，陰/陽離子表面活性劑，絡合劑和消泡劑的JH-16清洗劑。?

在上述硅片的清洗工藝中，在第三步甩干沖洗后的硅片之前，還包括再次清洗、水洗步驟；所述再次清洗、水洗步驟，是將硅片再次放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在10~20分鐘范圍內；在硅片超聲波清洗后，再放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出，然后再進入第三步甩干步驟。也就是說所述清洗、水洗步驟可視實際情況需要多次反復進行。?