[發明專利]硅片的清洗工藝

有效

• 申請號: 201210061167.X
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102569036A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 唐國琴
• 申請（專利權）人: 常州銀河半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 常州市天龍專利事務所有限公司 32105
• 代理人: 夏海初

1.一種硅片的清洗工藝，以經過切割處理的硅片為加工對象，其特征在于：該清洗工藝依次按以下步驟進行：

第一步：將硅片放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在16~25分鐘范圍內，所述超聲波清洗機的頻率控制在40~55Hz范圍內，所述清洗混合溶液是由去離子水：清洗劑按容積比為22~25??：0.6~1.0配制的混合液；

第二步：將經第一步清洗后的硅片，放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第三步：將經第二步沖洗后的硅片放入甩干機內甩干，且甩干機的轉速控制在650~750轉/分鐘范圍內；

第四步：將經第三步甩干后的硅片放入腐蝕溶液中進行腐蝕，且時間控制在30~45秒范圍內；所述腐蝕溶液是由硝酸：氫氟酸：冰乙酸：去離子水按容積比為1~2：2~4：1~2：3~6.8配制的混合液；

第五步：將經第四步腐蝕后的硅片放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第六步：將經第五步沖洗后的硅片放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在16~25分鐘范圍內，所述超聲波清洗機的頻率控制在40~55Hz范圍內；所述清洗混合溶液是由去離子水：清洗劑按容積比為22~25??：0.6~1.0配制的混合液；

第七步：將經第六步超聲波清洗后的硅片放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出；

第八步：將經第七步沖洗后的硅片放入甩干機內甩干，且甩干機的轉速控制在650~750轉/分鐘范圍內；

第九步：將經第八步甩干后的硅片放入烘箱內烘燥25~65分鐘，且溫度控制在40~90℃范圍內，即硅片清洗完畢。

2.根據權利要求1所述的硅片的清洗工藝，其特征在于：所述清洗混合溶液中的清洗劑，是其成分包含氫氧化鉀，陰/陽離子表面活性劑，絡合劑和消泡劑的JH-16清洗劑。

3.根據權利要求1所述的硅片的清洗工藝，其特征在于：在第三步甩干沖洗后的硅片之前，還包括再次清洗、水洗步驟；所述再次清洗、水洗步驟，是將硅片再次放入裝有清洗混合溶液的超聲波清洗機內進行清洗，且清洗時間控制在10~20分鐘范圍內；在硅片超聲波清洗后，再放入裝有去離子水的水槽內多次沖洗后取出，然后再進入第三步甩干步驟。