[發明專利]一種基于PNP型三極管輔助觸發的雙向可控硅器件

無效

• 申請號: 201210060567.9
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102544068A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 鄭劍鋒;韓雁;馬飛;董樹榮;吳健;苗萌;曾杰
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/74
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種基于PNP型三極管輔助觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，包括：

P襯底層(10)和四個PNP型三極管；

所述的P襯底層(10)上從左到右依次設有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22)，所述的P阱(23)與第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相連；

所述的第一N阱(21)上從左到右依次并排設有第一N+有源注入區(41)、第一P+有源注入區(51)和第二N+有源注入區(42)；所述的第二N阱(22)上從左到右依次并排設有第三N+有源注入區(43)、第二P+有源注入區(52)和第四N+有源注入區(44)；

所述的第一N+有源注入區(41)和第一P+有源注入區(51)通過第一金屬電極(61)相連，所述的第二P+有源注入區(52)和第四N+有源注入區(44)通過第二金屬電極(62)相連；

所述的第三N+有源注入區(43)與第二PNP型三極管的發射極和基極相連，第一PNP型三極管的集電極和基極與第一金屬電極(61)相連；所述的第二N+有源注入區(42)與第三PNP型三極管的發射極和基極相連，第四PNP型三極管的集電極和基極與第二金屬電極(62)相連；第一PNP型三極管的發射極與第二PNP型三極管的集電極相連，第三PNP型三極管的集電極與第四PNP型三極管的發射極相連。

2.根據權利要求1所述的基于PNP型三極管輔助觸發的雙向可控硅器件，其特征在于：所述的第一N+有源注入區(41)與第一P+有源注入區(51)、第一P+有源注入區(51)與第二N+有源注入區(42)、第二N+有源注入區(42)與第三N+有源注入區(43)、第三N+有源注入區(43)與第二P+有源注入區(52)或第二P+有源注入區(52)與第四N+有源注入區(44)通過淺槽(3)隔離。