[發(fā)明專利]無鎳電鍍金制作工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210059824.7
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102560580A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 牛勇
• 申請（專利權）人: 深圳市中興新宇軟電路有限公司
• 主分類號: C25D5/34
• 分類號: C25D5/34;C25D3/48;H05K3/18
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101
• 代理人: 孫皓;林虹

技術領域

本發(fā)明涉及一種柔性印制電路板的處理工藝，特別是一種柔性印制電路板的表面電鍍金的處理工藝。

背景技術

由于電子元件封裝朝著高密度、小體積化趨勢發(fā)展，集成電路IC芯片封裝領域更是如此，要求IC封裝柔性與剛撓一體化基板(IC封裝基板)面積更小、更薄。IC封裝基板提供了芯片與剛撓一體化基板之間不同線路的過渡；提供了對搭載在該基板上芯片的保護、支撐、散熱通道；同時要求引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，采用無鎳鍍金工藝，減少電磁干擾，提高信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

目前柔性印制電路板FPC(Flexible?Printed?Circuit?board)行業(yè)的主流表面處理工藝是化學沉鎳金或鍍鎳金，雖然鍍鎳金有較好的防護性能，鍍鎳打底可防止銅金的電位遷移，并可提高鍍層的耐磨性能。但鎳的存在使電子信號損耗加大，IC封裝基板越來越多的要求無鎳鍍金工藝，以滿足IC封裝產(chǎn)品信號傳輸要求。

目前我國生產(chǎn)的IC封裝柔性與剛撓一體化基板的技術含量低，無法突破重點技術瓶頸，高端IC產(chǎn)品所采用的柔性基板或剛撓一體化基板絕大部分靠進口，柔性基板或剛撓一體化基板的制備工藝技術被國外的生產(chǎn)商所壟斷。此類產(chǎn)品新的工藝技術研發(fā)成功，將打破國外在該領域的產(chǎn)品壟斷和技術封鎖，對提高我國電子信息產(chǎn)業(yè)的競爭力具有重要的現(xiàn)實意義。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種無鎳電鍍金制作工藝，要解決的技術問題是提供良好導電性能、散熱性能以及電子信號損耗小的IC封裝柔性及剛撓一體化基板。

本發(fā)明采用以下技術方案：一種無鎳電鍍金制作工藝，包括以下步驟：一、第一次微蝕，將IC封裝基板放入微蝕槽內(nèi)，微蝕液的成份是H₂SO₄和APS，用工業(yè)純凈水稀釋H₂SO₄濃度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作溫度20-25℃，時間10-30S；二、噴砂，對IC封裝基板的雙面焊盤進行噴砂處理，使用100-150nm金剛砂磨料，噴砂壓力設為0.5-2Kg/cm²，速度1-3m/min；三、除油，將IC封裝基板放入除油槽中，采用的堿性除油液體積配比為：C₁₅H₁₃NO₂50％、(NH₄)₃N5％、H₂O45％，在堿性除油液中加入工業(yè)純凈水稀釋后的濃度為10-20ml/L，浸泡時間1-2min；四、第二次微蝕，將IC封裝基板放入微蝕槽中，微蝕液的成份是H₂SO₄和APS，用工業(yè)純凈水稀釋H₂SO₄濃度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作溫度20-25℃，時間10-30S；五、酸浸，將IC封裝基板放入酸洗槽內(nèi)，酸浸液的成份是NH₂SO₃H，在工業(yè)純凈水中的含量是0.5-2g/L，酸浸15-30S；六、鍍金，將IC封裝基板放入濃度為5～10g/L的KAu(CN)₄鍍液中，鈦網(wǎng)為陽極，IC封裝基板為陰極，鍍金的電流密度為1.2-1.8A/dm²，時間5-15min。

本發(fā)明的第一次微蝕，H₂SO₄濃度是25ml/L，APS含量60g/L，工作溫度22℃。

本發(fā)明的第一次微蝕后，用壓力0.5Kg/cm²的自來水沖洗5-15S。

本發(fā)明在堿性除油液中加入工業(yè)純凈水稀釋后的濃度為15ml/L。

本發(fā)明除油后，然后用工業(yè)純凈水清洗5-15S。

本發(fā)明的第二次微蝕，H₂SO₄濃度是25ml/L，APS含量60g/L，工作溫度22℃。

本發(fā)明的第二次微蝕后，用工業(yè)純凈水清洗5-15S。

本發(fā)明的酸浸，銨基磺酸NH₂SO₃H含量是1g/L。

本發(fā)明的酸浸后，用工業(yè)純凈水清洗5-15S。

本發(fā)明的鍍金，在陽極附近設置電流釋放托板，采用穩(wěn)流器穩(wěn)定鍍金電流；鍍金后用工業(yè)純凈水清洗5-15S。