[發明專利]無鎳電鍍金制作工藝有效
| 申請號： | 201210059824.7 | 申請日： | 2012-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102560580A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 牛勇 | 申請（專利權）人： | 深圳市中興新宇軟電路有限公司 |
| 主分類號： | C25D5/34 | 分類號： | C25D5/34;C25D3/48;H05K3/18 |
| 代理公司： | 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101 | 代理人： | 孫皓;林虹 |
| 地址： | 518105 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 無鎳電 鍍金 制作 工藝 | ||
1.一種無鎳電鍍金制作工藝，包括以下步驟：一、第一次微蝕，將IC封裝基板放入微蝕槽內，微蝕液的成份是H2SO4和APS，用工業純凈水稀釋H2SO4濃度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作溫度20-25℃，時間10-30S；二、噴砂，對IC封裝基板的雙面焊盤進行噴砂處理，使用100-150nm金剛砂磨料，噴砂壓力設為0.5-2Kg/cm2，速度1-3m/min；三、除油，將IC封裝基板放入除油槽中，采用的堿性除油液體積配比為：C15H13NO250％、(NH4)3N5％、H2O45％，在堿性除油液中加入工業純凈水稀釋后的濃度為10-20ml/L，浸泡時間1-2min；四、第二次微蝕，將IC封裝基板放入微蝕槽中，微蝕液的成份是H2SO4和APS，用工業純凈水稀釋H2SO4濃度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作溫度20-25℃，時間10-30S；五、酸浸，將IC封裝基板放入酸洗槽內，酸浸液的成份是NH2SO3H，在工業純凈水中的含量是0.5-2g/L，酸浸15-30S；六、鍍金，將IC封裝基板放入濃度為5～10g/L的KAu(CN)4鍍液中，鈦網為陽極，IC封裝基板為陰極，鍍金的電流密度為1.2-1.8A/dm2，時間5-15min。
2.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述第一次微蝕，H2SO4濃度是25ml/L，APS含量60g/L，工作溫度22℃。
3.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述第一次微蝕后，用壓力0.5Kg/cm2的自來水沖洗5-15S。
4.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述在堿性除油液中加入工業純凈水稀釋后的濃度為15ml/L。
5.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述除油后，然后用工業純凈水清洗5-15S。
6.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述第二次微蝕，H2SO4濃度是25ml/L，APS含量60g/L，工作溫度22℃。
7.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述第二次微蝕后，用工業純凈水清洗5-15S。
8.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述酸浸，銨基磺酸NH2SO3H含量是1g/L。
9.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述酸浸后，用工業純凈水清洗5-15S。
10.根據權利要求1所述的無鎳電鍍金制作工藝，其特征在于：所述鍍金，在陽極附近設置電流釋放托板，采用穩流器穩定鍍金電流；鍍金后用工業純凈水清洗5-15S。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市中興新宇軟電路有限公司，未經深圳市中興新宇軟電路有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210059824.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：氣動式銀魚受精卵孵化成苗方法
- 下一篇：酰胺衍生物
