[發(fā)明專(zhuān)利]肖特基二極管及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210059574.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311316A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尚海平;徐秋霞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/872
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種肖特基二極管，包括襯底、襯底上的金屬硅化物，其特征在于，襯底與金屬硅化物之間的界面處還包括摻雜離子分凝區(qū)。

2.如權(quán)利要求1的肖特基二極管，其中，金屬硅化物包括NiSi_2-y、PtSi_2-y、CoSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、Ni_1-xCo_xSi_2-y、Pt_1-xCo_xSi_2-y、Ni_2-x-zPt_xCo_zSi_3-y，其中x、z大于0小于1，y大于等于0小于等于1。

3.如權(quán)利要求1的肖特基二極管，其中，摻雜離子分凝區(qū)中包含的摻雜離子，對(duì)于n型肖特基二極管而言包括P、As、Sb及其組合，對(duì)于p型肖特基二極管而言包括B、BF₂及其組合。

4.一種肖特基二極管的制造方法，包括步驟：

在襯底上形成金屬硅化物；

向金屬硅化物注入摻雜離子；

分凝退火，使得摻雜離子分凝在金屬硅化物與襯底之間的界面處。

5.如權(quán)利要求4的肖特基二極管的制造方法，其中，形成金屬硅化物的步驟具體包括：

在襯底上形成金屬層；

執(zhí)行第一退火，使得襯底與金屬層反應(yīng)形成富金屬相的高阻態(tài)金屬硅化物；

去除未反應(yīng)的金屬層；

執(zhí)行第二退火，第二退火的溫度大于第一退火的溫度，使得富金屬相的高阻態(tài)金屬硅化物形成單一的低阻態(tài)金屬硅化物。

6.如權(quán)利要求5的肖特基二極管的制造方法，其中，第一退火的退火溫度為200～400℃，第二退火的退火溫度為450～600℃。

7.如權(quán)利要求5的肖特基二極管的制造方法，其中，金屬層包括Ni、Co、Pt及其組合，形成的金屬硅化物包括NiSi_2-y、PtSi_2-y、CoSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、Ni_1-xCo_xSi_2-y、Pt_1-xCo_xSi_2-y、Ni_2-x-zPt_xCo_zSi_3-y，其中x、z大于0小于1，y大于等于0小于等于1。

8.如權(quán)利要求5的肖特基二極管的制造方法，其中，采用硫酸與雙氧水混合液濕法腐蝕去除未反應(yīng)的金屬層。

9.如權(quán)利要求4的肖特基二極管的制造方法，其中，注入的摻雜離子，對(duì)于n型肖特基二極管而言包括P、As、Sb及其組合，對(duì)于p型肖特基二極管而言包括B、BF₂及其組合。

10.如權(quán)利要求4的肖特基二極管的制造方法，其中，注入計(jì)量為1E14atom/cm²～1E16?atom/cm²。

11.如權(quán)利要求4的肖特基二極管的制造方法，其中，注入能量使得摻雜離子注入峰值位于金屬硅化物內(nèi)。

12.如權(quán)利要求10的肖特基二極管的制造方法，其中，摻雜離子注入峰值位于金屬硅化物與襯底之間界面上方30～200范圍內(nèi)。

13.如權(quán)利要求4的肖特基二極管的制造方法，其中，分凝退火的退火溫度為450℃～700℃。