[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 201210059156.8 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN102683243A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 東友之;山田健二;荒木浩之;安藤幸嗣 | 申請(專利權)人: | 三菱瓦斯化學株式會社;大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;郭曉東 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
第一處理室以及第二處理室;
第一基板保持單元,用于在所述第一處理室保持基板;
藥液供給單元,用于向被所述第一基板保持單元保持的基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液;
基板搬運單元,用于在所述藥液保持在所述基板上的狀態下,將該基板從所述第一處理室搬運到所述第二處理室;以及,
第二基板保持單元,用于在所述第二處理室,對保持有所述藥液的多張基板進行保持。
2.根據權利要求1所記載的基板處理裝置,其特征在于,
還具有:
第三處理室,
第三基板保持單元,用于在所述第三處理室保持基板,以及,
沖洗液供給單元,用于向被所述第三基板保持單元保持的基板供給沖洗液;
所述基板搬運單元從所述第二處理室向所述第三處理室搬運基板。
3.根據權利要求1或2所記載的基板處理裝置,其特征在于,所述藥液供給單元向被所述第一基板保持單元保持的基板的主面的局部供給所述藥液。
4.根據權利要求3所記載的基板處理裝置,其特征在于,
還具有異物測定單元,該異物測定單元對附著于基板的主面的異物的位置進行測定,
所述藥液供給單元向所述主面上的包含有異物的范圍供給所述藥液。
5.根據權利要求4所記載的基板處理裝置,其特征在于,
還具有測定室,在該測定室,通過所述異物測定單元來對附著于基板的異物的位置進行測定,
所述基板搬運單元從所述測定室向所述第一處理室搬運基板。
6.根據權利要求3所記載的基板處理裝置,其特征在于,所述藥液供給單元向所述主面上的預先確定的范圍供給所述藥液。
7.一種基板處理方法,其特征在于,包括:
藥液供給工序,向基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液,并使該藥液保持在所述基板;
搬運工序,在進行了所述藥液供給工序之后,在所述藥液保持在所述基板上的狀態下搬運該基板;以及,
反應處理工序,在進行了所述搬運工序之后,使保持有所述藥液的基板與所述藥液發生反應。
8.根據權利要求7所記載的基板處理方法,其特征在于,
所述蝕刻成分是氫氟酸和過氧化氫的混合物或者氫氧化銨和過氧化氫的混合物,
所述增稠劑是從甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉以及聚乙烯醇中選擇的一種以上的物質。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





