[發明專利]從襯底處理部件去除殘余物

有效

• 申請號: 201210059116.3
• 申請日: 2007-10-15
• 公開（公告）號: CN102626698B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 布里恩·T·韋斯特;卡爾·布魯克奈爾;舜·吳;羅伯特·哈尼
• 申請（專利權）人: 量子全球技術有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本發明涉及從襯底處理部件去除殘余物。本發明從具有聚合物涂層于殘余物下方的襯底處理部件的表面上去除殘余物。一種形式中，以有機溶劑接觸該部件表面，以去除該殘余物而不傷害或去除該聚合物涂層。該殘余物可為處理殘余物或黏著劑殘余物。可執行清潔處理作為再磨光處理的一部分。另一種形式中，藉由用激光掃描整個部件表面而燒蝕該殘余物。又另一種形式中，藉由用等離子體切割器掃描整個部件表面來蒸發該殘余物。

本申請是申請號為200780039050.9、申請日為2007年10月15日，發明名稱為“從襯底處理部件去除殘余物”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明的實施例涉及從襯底處理部件的表面清潔殘余物。

背景技術

在處理循環之間，必須周期性地清潔暴露于處理襯底的處理環境中的襯底處理室部件的表面。在襯底處理期間，將襯底置于處理室中并暴露于激發氣體下，以在襯底上沉積材料或蝕刻襯底上的材料。沉積在部件表面上的處理殘余物包括在化學氣相沉積(CVD)或等離子體氣相沉積(PVD)處理中沉積的材料、蝕刻的材料、或甚至是在蝕刻處理中去除的聚合物光刻膠。在接下來的處理周期中，累積的殘余物會從部件表面成片剝落并落在襯底或室內部上且污染襯底或室內部。因此，利用清潔處理周期性地清潔部件表面，該清潔處理包括噴砂法(grit blasting)、使用溶劑或研磨料的擦洗、以及二氧化碳(CO2)噴洗法。然而，傳統的清潔方法通常無法完全地清潔部件表面，這會造成部件表面的腐蝕或在部件表面上留下有機清潔沉積物的薄層。

處理殘余物的清潔亦可能具有取決于部件表面的組成以及其上覆蓋的殘余物的獨特問題。例如，某些部件表面容易受到傳統清潔溶劑的傷害。例如，用聚合物密封劑密封的陶瓷部件(諸如，靜電吸盤、碳化硅部件與鋁質室壁)是難以清潔的。有機溶劑(諸如，丙酮與異丙醇)會分解、氧化或與這些涂層進行其它化學反應。用含碳聚合殘余物涂覆的聚合物涂覆表面特別難以清潔，因為能夠部分地分解聚合殘余物的清潔溶劑亦可分解下層聚合物密封劑。

亦難以從部件(例如，室壁)清潔包括碳沉積物或氟化鋁的處理殘余物。噴砂處理室壁不僅會剝下碳殘余物并且會刮傷或侵蝕陶瓷材料的表面。亦特別難以去除沉積在室壁上含有密集的氟化鋁膜的殘余物，因為氟化鋁可耐大部分的化學清除劑。目前，利用HF/HNO₃混合物來蝕刻氟化鋁；然而，該酸性混合物亦常常蝕刻下層陶瓷材料。當用電鍍氧化鋁薄層涂覆部件時，該電鍍層亦會受到擦傷或蝕刻。

當從用于化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、等離子體氣相沉積(plasma vapor deposition，PVD)與蝕刻的室的部件上清潔黏性聚合殘余物時又會產生另一問題。針對電介質與多晶硅(poly-silicon)蝕刻應用而言，必須在镕爐中加熱部件長達數小時以燃盡(burn off)有機殘余物，這個過程相當耗時。針對金屬化學氣相沉積與等離子體氣相沉積室而言，目前的清潔方法系利用化學作用(NH₄OH/H₂O₂)來去除處理殘余物。上述的化學作用在清潔溶液中使用有毒與危險的材料。亦可使用噴砂法，但這會造成從部件材料上去除至少一部分的薄層或在部件上留下砂粒沉積物。針對電介質化學氣相沉積室而言，首先藉由噴砂法去除陶瓷室部件上的碳殘余物，接著以HF/HNO₃混合物蝕刻上方覆蓋的AlF₃沉積物，這兩者皆可對下層部件造成侵蝕。