[發明專利]半導體鰭上的反熔絲

有效

• 申請號: 201210058939.4
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN103165572A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 楊筱嵐
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768;H01L21/8246
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

襯底；

隔離區，位于所述襯底的表面處；

半導體區，位于所述隔離區的頂面上方；

導電部件，位于所述隔離區的所述頂面上方，其中，所述導電部件鄰近所述半導體區；以及

介電材料，位于所述導電部件和所述半導體區之間，其中，所述介電材料、所述導電部件、以及所述半導體區形成反熔絲。

2.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：連接至所述反熔絲的電源，其中，所述電源被配置成提供編程電壓，所述編程電壓用于對所述反熔絲進行編程。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述半導體區包括半導體鰭。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述半導體區包括外延區，所述外延區的面與所述隔離區的所述頂面既不平行也不垂直。

5.根據權利要求4所述的器件，其中，所述半導體區進一步包括：位于所述外延區上方的硅化物區。

6.根據權利要求4所述的器件，其中，所述外延區包括硅鍺。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述導電部件包括：半導體區，位于所述隔離區的所述頂面上方；以及硅化物區，位于所述半導體區上方，并且其中，所述隔離區的一部分位于所述半導體區和所述導電部件之間。

8.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：多柵極晶體管，其中，所述導電部件和所述多柵極晶體管的柵電極由相同材料形成。

9.一種器件，包括：

半導體襯底；

淺溝槽隔離(STI)區，位于所述半導體襯底的表面處；

第一半導體鰭，位于所述STI區的頂面上方；

第二半導體鰭，位于所述STI區的所述頂面上方，其中，所述第一半導體鰭和所述第二半導體鰭包括面；以及

介電材料，位于所述第一半導體鰭和所述第二半導體鰭之間，其中，所述介電材料、所述第一半導體鰭、以及所述第二半導體鰭形成反熔絲。

10.一種方法，包括：

實施外延，以在淺溝槽隔離(STI)區的頂面上方形成外延區，其中，所述STI區位于襯底的表面處；

在所述外延區上方形成硅化物區并且所述硅化物區與所述外延區接觸；

形成鄰近所述硅化物區并且位于所述STI區上方的導電區；

在所述導電區和所述硅化物區和所述外延區的組合區之間填充介電材料，其中，所述導電區、所述組合區、以及所述介電材料形成反熔絲；以及

形成電連接至所述硅化物區和所述導電區的電源，其中，所述電源被配置成施加高到足以對所述反熔絲進行編程的編程電壓。