[發明專利]發光器件

在審

• 申請號: 201210058023.9
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN102903806A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 羅鐘浩;洪訓技;李玄基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

本發明公開一種發光器件。在發光器件中，有源層的勢壘層的結構被改變，并且中間層的帶隙能量變化，從而提高有源層的空穴注入效率，并因此提高發光效率。

相關申請的交叉引用

本發明要求于2011年7月25日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2011-0073631以及于2011年7月29日提交的韓國專利申請No.10-2011-0075761的優先權，通過引用，將其內容合并于此。

技術領域

實施例涉及發光器件。

背景技術

發光二極管(LED)是利用化合物半導體的特性將電子信號轉換為紅外光、可見光或者其他形式光的裝置。LED用于家電器具、遠程控制器、電子公告板、顯示器、各種自動裝備等等。LED的應用范圍仍在擴展。

通常，小型LED以表面安裝裝置的形式來形成，因此LED直接安裝在印刷電路板(PCB)上。結果，用作顯示裝置的LED燈被發展為具有表面安裝裝置形式的結構。表面安裝裝置可代替現有的簡單照明燈。表面安裝裝置可用作各種彩色照明顯示器、文本顯示器、圖像顯示器等等。

隨著LED應用范圍的擴展，用于家用的燈以及用于救援信號的燈需要高亮度。因此，必須提高LED的亮度。

發明內容

實施例提供具有提高的發光效率并且具有減少的晶體缺陷的發光器件。

在一個實施例中，一種發光器件包括發光結構，所述發光結構包括：第一半導體層；第二半導體層；以及設置在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的有源層，其中，所述第一半導體層是摻雜有N型摻雜物的N型半導體層，所述第二半導體層是摻雜有P型摻雜物的P型半導體層，所述有源層包括至少一對交替堆疊的阱層和勢壘層，鄰近所述第二半導體層的勢壘層中的一個包括第一層和設置在所述第一層與所述第二半導體層之間的第二層，所述第一層具有第一帶隙，所述第二層具有第二帶隙，所述第二帶隙小于所述第一帶隙，以及所述第二層摻雜有P型摻雜物。

附圖說明

根據下面結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解實施例的細節，附圖中：

圖1是示出根據實施例的發光器件的示意圖；

圖2是根據實施例的發光器件的部分放大截面圖；

圖3是示出根據實施例的發光器件的能帶圖的示意圖；

圖4是示出傳統發光器件與根據實施例的發光器件之間發光(luminous)強度的差異的示意圖；

圖5是示出傳統發光器件與根據實施例的發光器件之間的操作電壓的差異的示意圖；

圖6是示出根據另一實施例的發光器件的能帶圖的示意圖；

圖7是示出根據實施例的發光器件的中間層的透射電子顯微鏡(TEM)照片的示意圖；

圖8是示出根據另一實施例的發光器件的示意圖；

圖9是根據實施例的發光器件的部分放大截面圖；

圖10是示出根據實施例的發光器件的能帶圖的示意圖；

圖11是示出根據實施例的包括發光器件的發光器件封裝的透視圖；

圖12是根據實施例的包括發光器件的發光器件封裝的截面圖；

圖13是根據實施例的包括發光器件的發光器件封裝的截面圖；

圖14是示出根據實施例的包括發光器件的照明系統的透視圖；

圖15是沿著圖14的線C-C’截取的截面圖；

圖16是示出根據實施例的包括發光器件的液晶顯示設備的分解透視圖；以及