[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210058023.9
• 申請(qǐng)日: 2012-03-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102903806A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅鐘浩;洪訓(xùn)技;李玄基
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/06;H01L33/32;H01L33/04
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種包括發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：

第一半導(dǎo)體層；

第二半導(dǎo)體層；以及

設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層；

設(shè)置在所述有源層與所述第二半導(dǎo)體層之間的中間層；以及

設(shè)置在所述有源層和所述中間層之間的未摻雜的AlyGa1-yN(0＜y≤1)，

其中，所述第一半導(dǎo)體層是摻雜有N型摻雜物的N型半導(dǎo)體層，

所述第二半導(dǎo)體層是摻雜有P型摻雜物的P型半導(dǎo)體層，

所述有源層包括至少一對(duì)交替堆疊的阱層和勢(shì)壘層，鄰近所述第二半導(dǎo)體層的勢(shì)壘層中的一個(gè)包括第一層和設(shè)置在所述第一層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第二層，

所述第一層具有第一帶隙，

所述第二層具有第二帶隙，

所述第二帶隙小于所述第一帶隙，以及

所述第二層摻雜有P型摻雜物，以及

其中，所述第一層和所述第二層包括In，并且所述第二層具有的In含量大于所述第一層的In含量，

其中，所述未摻雜的AlyGa1-yN(0＜y≤1)被形成或更薄，

其中，所述未摻雜的AlyGa1-yN(0＜y≤1)的帶隙大于所述第一帶隙，

其中，所述中間層具有第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域、和第四區(qū)域，并且所述中間層的Al組成比在5％與30％之間變化。

2.一種包括發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層；設(shè)置在所述有源層與所述第二半導(dǎo)體層之間的中間層；以及設(shè)置在所述有源層與所述中間層之間的未摻雜的AlyGa1-yN(0＜y≤1)，其中

所述第一半導(dǎo)體層是摻雜有N型摻雜物的N型半導(dǎo)體層，

所述第二半導(dǎo)體層是摻雜有P型摻雜物的P型半導(dǎo)體層，

所述有源層包括多對(duì)交替堆疊的阱層和勢(shì)壘層，

鄰近所述第二半導(dǎo)體層的勢(shì)壘層中的一個(gè)包括第一層和設(shè)置在所述第一層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第二層，

所述第一層具有第一帶隙，

所述第二層具有第二帶隙，

所述第二帶隙小于所述第一帶隙，

所述第二層摻雜有P型摻雜物，以及

其中，所述第一層和所述第二層包括In，并且所述第二層具有的In含量大于所述第一層的In含量，

其中，所述未摻雜的AlyGa1-yN(0＜y≤1)被形成或更薄，

其中，所述中間層被形成為單層，并且所述中間層的Al組成比在5％與30％之間變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述中間層包括p型摻雜的p-AlxGa1-xN(0＜x≤1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述中間層包括p型摻雜的p-AlxGa1-xN(0＜x≤1)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)的發(fā)光器件，其中，每個(gè)阱層具有第三帶隙，且所述第二帶隙大于所述第三帶隙。