[發明專利]具有超結結構的半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201210057865.2
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN102593178A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 馬榮耀;李鐵生;唐納德·迪斯尼;張磊
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種具有超結結構的半導體器件，包括在晶片上形成的基本上矩形的第一區和在第一區外圍的第二區，在所述第一區中設置溝槽柵極金屬氧化物半導體(MOSFET)單元的多個溝槽區和多個立柱，其中相鄰的溝槽區被立柱隔開，在溝槽區和立柱之間形成本體區，在所述第二區中形成沿著第一區的相應邊延伸的多個立柱，其中，在所述第二區的角落中，多個橫向立柱的端部與多個豎向立柱的端部分開并彼此交錯。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述第二區的角落中，每個橫向立柱的端部與垂直于該橫向立柱的兩個豎向立柱分開第一距離，該第一距離基本上為所述兩個豎向立柱間距的一半。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中第一區中的立柱的端部與第二區中垂直于該第一區中立柱的立柱分開了所述第一距離。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，在第二區包括靠近第一區的中間區和遠離第一區的外圍區，在中間區中形成的立柱之間的間距大于在外圍區中形成的立柱之間的間距。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，在所述中間區的角落中，每個橫向立柱的端部與垂直于該橫向立柱的兩個豎向立柱分開第一距離，該第一距離基本上為所述兩個豎向立柱間距的一半。

6.如權利要求4所述的半導體器件，其中，在所述外圍區的角落中，每個橫向立柱的端部與垂直于該橫向立柱的兩個豎向立柱分開第二距離，該第二距離基本上為所述兩個豎向立柱間距的一半。

7.如權利要求4所述的半導體器件，其中第一區和中間區構成所述半導體器件的原胞區，所述外圍區構成所述半導體器件的端接區。

8.一種制作半導體器件的方法，包括步驟：

提供一晶片；

在晶片上形成的基本上矩形的第一區和在第一區外圍的第二區，

在所述第一區中設置溝槽柵極金屬氧化物半導體(MOSFET)單元的多個溝槽區和多個立柱，其中相鄰的溝槽區被立柱隔開，在溝槽區和立柱之間形成本體區，?

在所述第二區中形成沿著第一區的相應邊延伸的多個立柱，

其中，在所述第二區的角落中，多個橫向立柱的端部與多個豎向立柱的端部分開并彼此交錯。

9.如權利要求8所述的方法，其中，在所述第二區的角落中，每個橫向立柱的端部與垂直于該橫向立柱的兩個豎向立柱分開第一距離，該第一距離基本上為所述兩個豎向立柱間距的一半。

10.如權利要求9所述的方法，其中第一區中的立柱的端部與第二區中垂直于該第一區中立柱的立柱分開了所述第一距離。?