[發(fā)明專利]鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210057303.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543693A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周旭亮;于紅艷;潘教青;朱洪亮;王圩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：清洗鍺襯底，放入MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室；

步驟2：采用700℃高溫處理鍺襯底；

步驟3：采用MOCVD的方法，在鍺襯底上外延生長(zhǎng)緩沖層；

步驟4：在緩沖層上，生長(zhǎng)贗GaAs層，完成材料的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中鍺襯底為n型低阻(001)鍺，偏[110]4°，電阻率為0.01-0.1歐姆·厘米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中清洗是采用5％的HF和5％的H₂O₂循環(huán)洗三遍，最后用5％的HF清洗，每種溶液的清洗時(shí)間是30s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中高溫處理鍺襯底的時(shí)間是20min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中緩沖層的材料為GaAs，贗GaAs層的材料為與Ge晶格匹配的InGaAs。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中生長(zhǎng)緩沖層的條件是，反應(yīng)室壓力100mBar，叔丁基二氫砷和三乙基鎵為原料，生長(zhǎng)過(guò)程中叔丁基二氫砷和三乙基鎵的輸入摩爾流量比V/III在40-50之間，生長(zhǎng)速率在0.1-0.3nm/s，厚度100nm，溫度在400-450℃溫度下降到生長(zhǎng)溫度后，先通叔丁基二氫砷5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中生長(zhǎng)贗GaAs層，即與Ge晶格匹配的InGaAs層，其生長(zhǎng)條件是，砷烷、三甲基銦和三甲基鎵為原料，生長(zhǎng)過(guò)程中輸入摩爾流量比V/III在30-50之間，溫度為620-650℃，生長(zhǎng)速率為0.5-1.0nm/s，厚度為2微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍺基贗砷化鎵襯底的制備方法，其中緩沖層和贗GaAs層為用雙硅烷重?fù)诫s，摻雜濃度大于1×10¹⁸cm^-3。