[發(fā)明專利]IC載帶材料的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210055957.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN102604248A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳中心;張寶成;吳林芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江三和塑料有限公司
• 主分類號(hào): C08L25/06
• 分類號(hào): C08L25/06;C08L23/06;C08L53/02;C08K13/02;C08K3/04;B29C47/92;B65D73/02;B32B27/18
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務(wù)所有限公司 33214
• 代理人: 王從友

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種非遷移型高分子導(dǎo)電母粒，尤其涉及一種應(yīng)用于IC載帶材料的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒及其制備方法。

背景技術(shù)

電子產(chǎn)品組裝的高密度、高可靠、小型化、低成本、以及生產(chǎn)的自動(dòng)化催生SMT（表面組裝技術(shù)）工藝方法的形成。IC載帶材料是用于高檔微電子零件的防靜電包裝材料，旨在防止電子元器件生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中受到靜電損害、機(jī)械損壞或灰塵污染，是實(shí)現(xiàn)SMT電子元器件自動(dòng)化生產(chǎn)、包裝和運(yùn)輸過程中不可或缺的關(guān)鍵材料之一。IC載帶材料由于要配套在自動(dòng)化SMT生產(chǎn)工藝流水線上應(yīng)用，對(duì)材料的性能要求很高，該材料必須同時(shí)具備防靜電性能、表面炭黑分散均勻、層間結(jié)合力牢固等特點(diǎn)，同時(shí)和多種上封帶（基材為PE、PET等復(fù)合材料）之間既要保證有一定的封合力，又要保證在自動(dòng)化生產(chǎn)線剝離過程中容易剝離。因此，開發(fā)符合如此高性能要求的制備IC載帶材料核心材料——表層導(dǎo)電母粒成為當(dāng)下重要的研究課題。

目前國內(nèi)現(xiàn)有導(dǎo)電母料主要存在以下技術(shù)難題：

難題一、三層結(jié)構(gòu)不牢固。IC載帶材料采用三層結(jié)構(gòu)，擠出復(fù)合制成。表面層采用導(dǎo)電母粒，中間層采用絕緣材料，以此降低成本。但三層結(jié)構(gòu)不牢固容易造成表面層部分或完全脫落，造成成型不良，與上封帶封合包裝時(shí)容易污染電子元器件，在上封帶剝離時(shí)三層結(jié)構(gòu)不牢固可能導(dǎo)致表面層與上封帶粘連，嚴(yán)重時(shí)表面層與中間層會(huì)直接分離，使得電子元器件脫落，導(dǎo)致電子元器件報(bào)廢，無法自動(dòng)化生產(chǎn)。

難題二、表面雜質(zhì)顆粒點(diǎn)多。導(dǎo)電母粒均采用導(dǎo)電炭黑制備，在熱塑擠出加工過程中，容易產(chǎn)生碳化雜質(zhì)顆粒。IC載帶材料對(duì)表面顆粒大小、數(shù)量有嚴(yán)格的國際標(biāo)準(zhǔn)，且會(huì)直接影響封合力值標(biāo)準(zhǔn)差，根據(jù)EIA-481標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，封合力值標(biāo)準(zhǔn)差不超過10。在上封帶剝離過程中如果標(biāo)準(zhǔn)差大于10，會(huì)造成封合不穩(wěn)定，電子元器件跳出IC載帶材料，無法配合自動(dòng)化生產(chǎn)線上機(jī)械手抓取零件的生產(chǎn)節(jié)奏，使生產(chǎn)自動(dòng)化受阻。

難題三、封合適應(yīng)面窄。國內(nèi)現(xiàn)有導(dǎo)電母粒有的可以與熱封型上封帶匹配，但無法與冷封型上封帶封合；有的可以冷封，但是無法熱封；有的能夠與以PE為基材的上封帶封合，但不能匹配以PET為基材的上封帶，不能同時(shí)滿足于多種上封帶在熱封、冷封等不同方式下的封合。

中國發(fā)明專利申請(qǐng)（申請(qǐng)?zhí)枺?00910095623.0?申請(qǐng)日：2009-01-13?）公開了用于SMT載帶的防靜電塑料及其制備方法和應(yīng)用，該用于SMT載帶的防靜電塑料,由以下重量百分比的成份混煉組成:導(dǎo)電碳黑5%～45%,聚苯乙烯30%～90%,苯乙烯丁二烯共聚物彈性SBS5%～45%,增韌劑1%～13%,抗氧劑0.1%～2.8%,偶聯(lián)劑0.3%～3.8%。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供IC載帶材料的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒，所制得的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒具備炭黑分散均勻、層間結(jié)合力牢固、封合性能穩(wěn)定等缺一不可的特點(diǎn)，符合IC載帶材料性能的要求。本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種上述的IC載帶材料的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒的制備方法。本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種IC載帶材料。

為了實(shí)現(xiàn)上述的第一個(gè)目的，本發(fā)明采用了以下的技術(shù)方案：

IC載帶材料的非遷移型高分子導(dǎo)電母粒，該導(dǎo)電母粒按重量百分比計(jì)由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????35.0%～85.0%；?????導(dǎo)電炭黑??????5.0%～35.0%；

聚乙烯????????????3.0%～35.0%；??????抗氧化劑??????0.1%～8.0%；

SBS???????????????4.0%~35.0%；???????偶聯(lián)劑????????1.0%~5.0%；

其他助劑??????????0.5%~2.0%。

作為優(yōu)選，該導(dǎo)電母粒按重量百分比計(jì)由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????45.0%～75.0%；?????導(dǎo)電炭黑??????8.0%～20.0%；

聚乙烯????????????5.0%～20.0%；??????抗氧化劑??????0.2%～1.0%；

SBS???????????????8.0%~20.0%；???????偶聯(lián)劑????????1.0%~2.5%；

其他助劑??????????0.5%~2.0%。

作為再優(yōu)選，該導(dǎo)電母粒按重量百分比計(jì)由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????60.0%～70.0%；?????導(dǎo)電炭黑??????10.0%～15.0%；