[發明專利]IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒及其制備方法

無效

• 申請號: 201210055957.7
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102604248A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 吳中心;張寶成;吳林芳
• 申請（專利權）人: 浙江三和塑料有限公司
• 主分類號: C08L25/06
• 分類號: C08L25/06;C08L23/06;C08L53/02;C08K13/02;C08K3/04;B29C47/92;B65D73/02;B32B27/18
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司 33214
• 代理人: 王從友

1.IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：該導電母粒按重量百分比計由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????35.0%～85.0%；?????導電炭黑??????5.0%～35.0%；

聚乙烯????????????3.0%～35.0%；??????抗氧化劑??????0.1%～8.0%；

SBS???????????????4.0%~35.0%；???????偶聯劑????????1.0%~5.0%；

其他助劑??????????0.5%~2.0%。

2.根據權利要求1所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：該導電母粒按重量百分比計由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????45.0%～75.0%；?????導電炭黑??????8.0%～20.0%；

聚乙烯????????????5.0%～20.0%；??????抗氧化劑??????0.2%～1.0%；

SBS???????????????8.0%~20.0%；???????偶聯劑????????1.0%~2.5%；

其他助劑??????????0.5%~2.0%。

3.根據權利要求1所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：該導電母粒按重量百分比計由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????60.0%～70.0%；?????導電炭黑??????10.0%～15.0%；

聚乙烯????????????5.0%～10.0%；??????抗氧化劑??????0.2%～0.5%；

SBS???????????????8.0%~15.0%；???????偶聯劑????????1.0%~2.5%；

其他助劑??????????0.5%~2.0%。

4.根據權利要求1所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：該導電母粒按重量百分比計由以下配方的組分混煉制得：

HIPS聚苯乙烯?????65.0%；?????導電炭黑??????13.0%；

聚乙烯????????????8.0%；??????抗氧化劑??????0.5%；

SBS???????????????10.0%；?????偶聯劑????????2.0%；

其他助劑??????????1.5%。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：偶聯劑選用硅烷偶聯劑KH-570。

6.根據權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：聚乙烯采用HDPE或LDPE。

7.根據權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：其他助劑包括抗老化劑、增強劑和增韌劑中的一種或多種；所述的抗老化劑0.3%~1.6%、增強劑0.2%~1.5%，增韌劑0.2%~1.5%。

8.根據權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒，其特征在于：抗氧化劑為抗氧化劑1010或抗氧化劑168。

9.一種制備權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒的方法，其特征在于該方法包括以下的步驟：

1）按配方稱取聚苯乙烯40%~60%量、導電炭黑全部、抗氧化劑40%~60%量、聚乙烯全部和SBS全部；

2）將上述聚苯乙烯、導電炭黑、抗氧化劑、聚乙烯、SBS在一階段混煉，捏合制備成導電率高的半成品；

3）將上述混煉，捏合制備成導電率高的半成品與剩余的聚苯乙烯、偶聯劑、剩余的抗氧化劑和其他助劑混合，在55～190℃的條件下混煉30～50分鐘，送料給擠出機擠出，送料機的轉速為450～550轉/分鐘，擠出的溫度為180℃～210℃，擠出機的轉速為550～650轉/分鐘，再經冷卻、干燥制得非遷移型高分子導電母粒。

10.IC載帶材料，該IC載帶材料采用三層結構，表面層采用導電母粒，中間層采用絕緣材料其特征在于：所述的導電母粒采用權利要求1或2或3或4所述的IC載帶材料的非遷移型高分子導電母粒。