[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210055541.5
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN103035809B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 樸東昱
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種發光器件，包括：

支撐構件；

包括設置在所述支撐構件上的第一半導體層、第二半導體層、以及在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層的發光結構；

設置在暴露出所述第一半導體層的第一區域中的在所述第一半導體層上的第一電極；

設置在所述第二半導體層上的第二電極；

至少設置在所述第一電極和所述發光結構之間的絕緣層；

設置在所述第二半導體層和所述第二電極之間的可透光電極層；以及在所述可透光電極層與所述第二電極之間、以及與所述發光結構之間的反射層；

其中所述第一半導體層和所述第二半導體層為不同導電型的半導體層，所述有源層包括至少一個的阱層和勢壘層并且所述阱層具有比所述勢壘層小的帶隙，

其中所述第一電極的上表面的面積為所述第二半導體層的面積的40％～90％，并且

其中所述反射層形成為沿著所述第二半導體層的側表面和所述有源層的側表面從所述第二半導體層的上表面延伸到所述第一半導體層的上表面，

其中所述第一電極包括：與所述第一半導體層連接并形成為延伸至少達到所述第二半導體層的高度的下電極；以及上電極，所述上電極與所述下電極的一端連接并構造為向所述發光結構內部突出使得所述上電極的部分區域與所述第二半導體層垂直地交疊，所述上電極與所述第二半導體層的上表面間隔開，

其中所述絕緣層至少形成在從所述下電極與設置在所述第二半導體層的側表面和所述有源層的側表面上的反射層之間到所述上電極與所述第二半導體層之間，

其中所述反射層至少包括具有第一折射率的第一層和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二層，

其中所述第一電極、所述第二電極和所述絕緣層的上表面設置在相同的線上。

2.根據權利要求1所述的發光器件，

其中從頂部觀察的所述下電極的面積為所述上電極的面積的10％～50％。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極的上表面和下表面具有不同的面積。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述第二電極的面積為所述第二半導體層的面積的40％～99％。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述第一區域的面積為所述第二半導體層的面積的41％～100％。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中在從頂部觀察時所述第一電極或所述第二電極包括四邊形、多邊形或圓形的形狀。

7.根據權利要求1所述的發光器件，

其中所述第二電極通過所述反射層的開口與所述可透光電極層連接。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射層的所述第一層和所述第二層交替地和重復地在彼此上堆疊。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，還包括形成在所述支撐構件中以向下開口的至少一個腔，所述腔利用密封材料來密封，

其中所述密封材料包括熒光物質。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述至少一個腔包括多個腔，并且相鄰腔之間的距離大于所述腔的長度。

11.根據權利要求9所述的發光器件，其中在從頂部觀察所述腔時，所述腔包括四邊形、多邊形或圓形的形狀。

12.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔的長度隨著到所述第一半導體層的下表面的距離的減小而增加。

13.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔的側表面包括梯級的形狀。

14.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔的深度為所述支撐構件的厚度的0.3倍～0.7倍。

15.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔的長度為所述支撐構件的長度的0.8倍～0.95倍。

16.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔的寬度為所述支撐構件的寬度的0.8倍～0.95倍。

17.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述腔或所述支撐構件在其下表面處設置有不平坦圖案。